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- 2024-03-25 发布于江苏
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存储器和存储系统-
主要内容
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n5.1存储器概念和分类
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n8086CPU与存储器系统的连接
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双极型RAM
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n静态RAM
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n动态RAM
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1).双极型RAM
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n存储速度高
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n对于射极耦合逻辑(ECL)电路,可达到10ns,对于
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肖特基(Schottky)TTL逻辑电路,可到达25ns。
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n集成度与MOS相比较低;功耗大,成本高。
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n以晶体管的触发器作为基本存储电路,故所用
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晶体管数目多。
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n主要应用于速度要求较高的位片式微型机中。
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2).MOSRAM
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n(1)SRAM(静态RAM)
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n(2)DRAM(动态RAM)
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(1)SRAM(静态RAM)
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na.由6管构成的触发器作为基本存储电路,集
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成度介于双极型和动态RAM之间
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