电力电子技术试题及答案.pdf

德州科技职业学院机电系14级机电专业

期末考试试题

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…《电力电子技术》试卷

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…题号一二三四合计6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）

名…

姓…分数A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

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线7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）

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…阅卷人得分

A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

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…8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）

…一、选择（每题分，共60分）

号…

试…A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

考…1、晶闸管内部有（）个PN结。

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…9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）

…A、1B、2C、3D、4

…A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

封

…2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

…10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）

…A、越大B、越小C、不变D、越稳定

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…A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO

…3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

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…11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）

…A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值

…A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管

级…4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

班密

…12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作

…A、一个B、两个C、三个D、四个

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…A、直流B、低频C、中频D、高频

…5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）

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