再谈米勒平台和线性区：为什么传统计算公式对超结MOSFET开关损耗无效.pdf

38特刊：电源

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再谈米勒平台和线性区：为什么传统计算

公式对超结MOSFET开关损耗无效

万国半导体元件(深圳)有限公司刘松

功率MOSFET在开关过程中要跨测试基于图1所示的电路：MOSFET先V=V+V+V

DDDSLDLS

越放大区，也就是线性区，形成电流和导通，然后关断，在一定电流下再次开其中，VLD为漏极回路寄生电感电

电压的交叠区，从而产生开关损耗，米通后关断，基于第二次开关过程测量米压，V为源极回路寄生电感电压，V

LSLD

勒平台就是在这个过程中形成的一段时勒平台。和V上正下负，和V方向相同，因此

LSDS

间相对稳定的放大区。栅极驱动电压通模式1：t〜t时刻实际V电压就略有下降，如图t〜t时

01DS12

常远大于米勒平台，那么为什么在开关VGS电压升高到阈值电压VTH，此刻电压波形。

过程中，V电压会保持平台不变？高过程V、I维持不变。

GSDSD

压超结结构的米勒平台的时间长，但为模式2：t〜t时刻

12

什么反而开关损耗小？V为什么在米V电压继续升高，电流I从0开

GSGSD

勒平台产生振荡？本文将详细地论述这始增加，MOSFET工作在放大区（线

些问题，从而在实际的应用中，提供设性区），I和V由跨导G限制线性增

DGSfs

计优化的方向。