第一章半导体中的电子状态-半导体的基本带隙结构.ppt

******************SemiconductorPhysics**★锗导带①导带底-位于111方向的简约BZ边界上(L点)等能面-旋转椭球面,椭球长轴-111方向(旋转轴).个BZ中有四个导带极小②有效质量:ml=1.64m0,mt=0.082m0.SemiconductorPhysics**硅导带底锗导带底图1-24SemiconductorPhysics**★硅和锗的价带结构①价带顶-k=0处(Γ点)②价带顶附近有三个能带:重空穴带;轻空穴带;第三个带；③间接带隙半导体Si,Ge的导带底和价带顶在k空间的不同点.SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**★Si1-XGeX混合晶体X-混晶比?当0.85≤X≤1,能带结构为类锗型;?当0≤X≤0.85,能带结构为类硅型.SemiconductorPhysics**★III-V族化合物半导体能带结构的共同特征III-V族化合物半导体有相似的晶格结构,都是以共价键为主的混合键,能带结构存在一定相似之处；组成化合物的原子不同,键的离子性不同,能带结构应体现相应的差别.①相似的价带结构:价带顶位于：k=0处(Γ点)；价带顶附近：重空穴带,轻空穴带,第三带SemiconductorPhysics**②导带结构有所不同:导带有三个极小,分别对应EgΓ,EgΔ,EgL。导带底位置与平均原子序数有关。当导带底位于Γ点—直接带隙半导体;当导带底不位于Γ点—间接带隙半导体③禁带宽度-大体上,平均原子序数↗,Eg↘SemiconductorPhysics**★半导体类型SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**例如:InSb—平均原子序数很大,导带极小位于Γ点-直接带隙,带隙很小(Eg=0.18eV).InP—平均原子序数较大,导带极小位于Γ点-直接带隙,带隙中等(Eg=1.34eV).GaP—平均原子序数较小,导带极小位于100方向-间接带隙,带隙较大(Eg=2.26eV).SemiconductorPhysics**★GaAs的能带结构A.导带底-k=0处(Γ点),等能面是球面B.价带顶:k=0处(Γ点),等能面是球面重空穴带,轻空穴带,第三个带C.直接带隙半导体,室温下Eg=1.42eVSemiconductorPhysics**EgΔEgΓSemiconductorPhysics**★III-V族化合物构成的混合晶体混合晶体的能带结构和晶格常数都随组分的变化而变化.?例如三元化合物GaAs1-XPX四元化合物不仅可以调节能带结构和晶格常数,还可以调节其他材料性质(如热膨胀系数,机械性能等)?例如Ga1-XInXP1-YAsYSemiconductorPhysics********************SemiconductorPhysics中国科学技术大学物理系SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysics**绝对零度热激发本征半导体半导体的基本带隙结构SemiconductorPhysics**本征光吸收：光子将价带中的电子激发到导带中，形成电子—空穴对，这一过程称为本征光吸收。本征光吸收过程中光子的能量满足：长波极限：本证吸收边缘，发生本征光吸收的最大光的波长。半导体的基本带隙结构SemiconductorPhysics**（1）垂直跃迁——直接带隙半导体本征边缘附近的光跃迁Semiconducto