第一章半导体中的电子状态-半导体中电子的运动及其描述.ppt

***SemiconductorPhysics**★回旋共振运动电子在磁场中受到洛伦兹力,作回旋运动.将一块半导体样品置于均匀恒定的磁场中，设磁感应强度为B，如半导体中电子初速度为v，v与B间夹角为θ，则电子受到的磁场力f为SemiconductorPhysics**在垂直于磁场的平面内作匀速圆周运动，其线速度为：沿磁场方向做匀速运动，速度为：运动轨迹为一螺旋线。若回旋频率为ωc，则若等能面为球面，根据，可得SemiconductorPhysics**测量发生共振吸收时电磁波的频率?和磁感应强度B，就可以求出载流子的有效质量。若等能面为椭球面，则有效质量为各向异性的，沿轴方向分别为设B沿的方向余弦分别是可求得实验一般用高纯度样品在低温下测量，通常固定交变磁场频率，调整B以达到共振。SemiconductorPhysics**回旋频率ωc=eB/mSemiconductorPhysics**晶体中的电子,回旋频率等能面为球面,m*为常数,ωc=eB/m*n等能面不是球面,仍有ωc=eB/m*根据磁场取向和各个有效质量分量可以计算出有效质量m*SemiconductorPhysics**测试装置SemiconductorPhysics**测试波形*************************SemiconductorPhysics中国科学技术大学物理系SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysics**§3半导体中电子的运动及其描述(1)???电子的速度和加速度(2)???有效质量(3)空穴SemiconductorPhysics**载流子电场E中漂移时，将会达到一定的平均漂移速度vd和一定的迁移率：μ=vd/E。载流子在电场中获得动能，但运动的载流子受到各种散射、进而损失能量。当两者平衡时载流子匀速漂移运动。设载流子两次散射的自由运动平均时间为T，则散射一次以后、有效质量为m*的载流子的迁移率与平均自由时间和有效质量的关系为：μ=vd/E=qτ/m*电子运动与半导体关键参数：迁移率SemiconductorPhysics**3、晶格与载流子的散射：载流子的散射源于载流子动量的变化，或者说源于波矢k的改变，因此：（1）规则排列、静止的晶体原子不散射载流子；（2）热振动的晶体原子一定散射载流子；①声学波散射——声学声子（波长比晶格常数大，纵波）②光学波散射——光学声子（非弹性散射，纵波）电子运动与半导体关键参数：迁移率SemiconductorPhysics**3、晶格与载流子的散射：（3）其他散射机理：晶体缺陷散射、杂质原子散射等；只要是破坏晶格周期性势场的因素（即能够产生附加势场的因素），就都是散射载流子的根源。电子运动与半导体关键参数：迁移率电子运动与半导体关键参数：扩散率载流子的定向运动形式，除了漂移之外，还有扩散。表征扩散运动的特征参量是扩散系数D，它与迁移率μ之间以爱因斯坦关系表征：D=（kT/q）μ由上式可见，载流子的扩散系数大小也主要决定于散射几率和有效质量。SemiconductorPhysics**★电子运动的准经典近似晶体中的一个电子,其状态可以用一个波包(一组临近波长的正弦波构成波包)代表——即把电子看作为准经典电子,近似地认为其具有确定的坐标与动量实线：波包虚线：包络包络以群速度运动准经典近似的条件在讨论的问题中,波包的空间扩展Δr和组成波包k值的扩展范围Δk远小于r和k的变化范围.Semicond