第五章非平衡载流子的扩散和漂移.ppt

SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**对于非简并系统，非平衡状态下的载流子浓度也可以由与平衡态相类似的表达式来表示：半导体处非平衡态时电子与空穴浓度的乘积为：SemiconductorPhysics**可见，和的偏离的大小直接反映出（或）与相差的程度，即反映出半导体偏离热平衡态的程度。若两者靠得越近，则说明非平衡态越接近平衡态。此时SemiconductorPhysics**②准费米能级EF-,EF+—用以替代EF,描述导带电子子系和价带空穴子系SemiconductorPhysics**满足:少子费米能级的偏移较大SemiconductorPhysics**证明：由和可得和SemiconductorPhysics**而即即所以SemiconductorPhysics**例:N型硅,获得非平衡载流子浓度:突然撤掉光照,经过20微秒,求非平衡少子浓度。室温下光稳定照射后解:室温下半导体处于饱和电离区,且施主浓度远大于本征载流子浓度，因此SemiconductorPhysics**经过20微秒,非平衡态的空穴浓度为P:又有：****************SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsSemiconductorPhysics**第四章非平衡载流子§1非平衡载流子的注入与复合§2准费米能级§3复合理论概要§4载流子的扩散和漂移§5连续性方程SemiconductorPhysics**§1非平衡载流子的注入与复合(1)???非平衡载流子(2)???非平衡载流子的注入与复合(3)非平衡载流子的寿命SemiconductorPhysics**★热平衡载流子回顾处于热平衡状态的半导体的载流子浓度：n0,p0分别表示平衡状态的电子浓度和空穴浓度，在非简并状态下有：其中Nv和Nc分别是价带和导带中的状态密度，Eg是禁带宽度；上式也是非简并情况下半导体处于热平衡的盘踞SemiconductorPhysics**★非平衡载流子非平衡态：当半导体受到外界作用(如：光照、偏置电压等)后,载流子分布将与平衡态相偏离,此时的半导体状态称为非平衡态。非平衡载流子(过剩载流子)–比平衡状态多出来的这部分载流子:△n,△pn=n0+△n,p=p0+△p非平衡多数载流子、非平衡少数载流子SemiconductorPhysics**★非平衡载流子的注入与复合引入非平衡载流子(过剩载流子)的过程--非平衡载流子的注入(injection)最常用的注入方式:光注入,电注入.高能粒子辐照光注入:△n=△p由于非平衡注入对少子浓度影响极大，因此非平衡载流子一般指的是非平衡少数载流子。SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**通常讨论小注入:△n,△p?(n0+p0)n型半导体:△n,△p?n0p型半导体:△n,△p?p0特别是小注入下的过剩少数载流子n型半导体:△n,△p??p0p型半导体:△n,△p??n0说明:即使在小注入条件下,非平衡少数载流子浓度仍比平衡少数载流子浓度大得多,而对平衡多数载流子浓度影响可以忽略.因此从作用意义上,非平衡载流子意指非平衡少数载流子.SemiconductorPhysics**在热平衡状态半导体中,载流子的产生和复合的过程保持动态平衡，从而使载流子浓度保持定值。这时的载流子浓度称为平衡载流子浓度。平衡载流子浓度:半导体的热平衡态与非平衡态载流子的产生率：单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数。载流子的复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。SemiconductorPhysics**对于给定的半导体，本征载流子浓度ni只是温度的函数。无论掺杂多少，平衡载流子的浓