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***********************************************************SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**上次课一个错误的更正n型掺杂，光注入，电中性；非多子与非少子的复合时间相同，少子在某些器件中影响关键；SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**★间接复合———非平衡子通过复合中心的复合①四个基本跃迁过程：A.电子俘获复合中心能级从导带俘获一个电子；B.电子产生 复合中心能级上的电子被激发到导带；（A的逆过程）C.空穴俘获 电子由复合中心落入价带与空穴复合。D.空穴产生 价带电子被激发到复合中心能级。（C的逆过程）SemiconductorPhysics**间接复合的四个过程SemiconductorPhysics**NtSemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**Nt复合中心浓度，nt复合中心能级上的电子浓度A.电子俘获率：Ra=γ-n(Nt-nt)①B.电子产生率：Rb=S-nt=γ-n1nt②C.空穴俘获率：Rc=γ+pnt③D.空穴产生率：Rd=S+(Nt-nt)=γ+p1(Nt-nt)④γ-电子俘获系数，S-电子激发几率γ+空穴俘获系数，S+空穴激发几率单位:产生率，俘获率R(1/cm3?s)俘获系数γ(cm3/s),激发几率S(1/s)SemiconductorPhysics**n1,p1—与复合中心能级位置有关的一个参量当EF=Et时,导带的平衡电子浓度当EF=Et时,价带的平衡空穴浓度SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsSemiconductorPhysics**非平衡载流子的注入与复合
一、非平衡载流子的产生SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**S
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