第五章非平衡载流子-载流子的复合机理.ppt

**************SemiconductorPhysics**设：半导体样品的表面复合中心总数为Nst表面处非平衡载流子浓度为(△p)S小注入表面复合率：小注入表面复合速度：?p为空穴俘获截面积SemiconductorPhysics**当U=NtSσ?(△p)SVT则有S=NtSσVT表面复合速度和稳态下半导体内不非平衡子浓度的分布:S=0S0S=∞SemiconductorPhysics**载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子——空穴复合时，将多余的能量传给另一载流子，使此载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余的能量以声子形式放出。★俄歇复合——非辐射复合SemiconductorPhysics**带间Auger复合的定性图象俄歇复合：在重掺杂半导体中，俄歇复合是主要的复合机制。SemiconductorPhysics**Ree：n型半导体，单位体积，单位时间复合的电子——空穴对数；Rhh：p型半导体，单位体积，单位时间复合的电子——空穴对数；Gee：n型半导体，单位体积，单位时间产生的电子——空穴对数Ghh：p型半导体，单位体积，单位时间产生的电子——空穴对数SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**上式为非简并情况下俄歇复合的普遍理论公式在热平衡条件下有：np=n0p0=c2，此时U=0；在非平衡状态下有：np?ni2，此时U?0，参见下页。SemiconductorPhysics**一般而言，带间俄歇复合在窄禁带复合及高温情况下起着重要作用，而与杂质和缺陷有关的俄歇复合过程，则常常是影响半导体期间发光效率的重要因素。SemiconductorPhysics**杂质和缺陷能级的主要作用：起施主或受主作用起复合中心作用起陷阱效应作用§4陷阱效应

SemiconductorPhysics**杂质/缺陷能级收容/积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。1.陷阱效应：陷阱和陷阱中心：有显著陷阱效应（积累的非平衡载流子数目可以与非平衡载流子数目相比拟）的杂质/缺陷能级称为陷阱，而相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。电子陷阱：能收容电子的杂质/缺陷能级。空穴陷阱：能收容空穴的杂质/缺陷能级。SemiconductorPhysics**2.陷阱效应的分析由于复合中心有着陷阱中心相似的作用,即也能积累非平衡载流子,因此可以借助前面的间接复合中心理论来分析陷阱中心的载流子情况.稳态情况下杂质能级的电子浓度为：?n和?p对nt的影响是相互独立的；电子与空穴形式上完全对称；SemiconductorPhysics**(1)平衡态SemiconductorPhysics**只考虑△n的影响，则有：假设对电子和空穴的俘获能力相近，即：(偏微分取值对应于平衡值)由于电子和空穴对nt的影响是相互独立的，因此小注入情况下，复合中心上积累的非平衡载电子浓度可写为：(2)非平衡态,小注入SemiconductorPhysics**上式中第二个因子总是小于1,因此要使?nt与?n可以相比拟,除非Nt可以与平衡载流子浓度之和(n0+p0)可以相比拟,否则没有明显的陷阱效应的.而实际上,对典型的陷阱,虽然浓度Nt较小,但陷阱中的非平衡载流子浓度远远超过导带或价带中的非平衡载流子(少子),这说明典型陷阱对电子和空穴的俘获率应该有很大的差距。实际陷阱中,对电子俘获率和对空穴俘获率的差距常常大到可以忽略小的那一个的程度。?nt表达式可以改写为:SemiconductorPhysics**若rnrp,陷阱俘获电子后,很难再俘获空穴(向价带发射电子),被俘获的电子往往在复合前就受热激发又重新释放回导带.这种情形为电子陷阱.若rprn,陷阱俘获空穴后,很难再俘从导带获电子,回到价带的电子很容易重回到陷阱.这种情形为空穴陷阱.SemiconductorPhysics**现求?nt极大值时对应的n1值:考虑电子陷阱的情况，在式中略去rp,有SemiconductorPhysics**因此?nt极