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半导体物理与器件(尼曼第四版)答案

第一章：半导体材料与晶体

1.1半导体材料的基本特性

半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料。它的基

本特性包括：

1.带隙：半导体材料的价带与导带之间存在一个禁带

或带隙，是电子在能量上所能占据的禁止区域。

2.拉伸系统：半导体材料的结构是由原子或分子构成

的晶格结构，其中的原子或分子以确定的方式排列。

3.载流子：在半导体中，存在两种载流子，即自由电

子和空穴。自由电子是在导带上的，在外加电场存在的情

况下能够自由移动的电子。空穴是在价带上的，当一个价

带上的电子从该位置离开时，会留下一个类似电子的空位，

空穴可以看作电子离开后的痕迹。

4.掺杂：为了改变半导体材料的导电性能，通常会对

其进行掺杂。掺杂是将少量元素添加到半导体材料中，以

改变载流子浓度和导电性质。

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1.2半导体材料的结构与晶体缺陷

半导体材料的结构包括晶体结构和非晶态结构。晶体结构

是指材料具有有序的周期性排列的结构，而非晶态结构是指无

序排列的结构。

晶体结构的特点包括：

1.晶体结构的基本单位是晶胞，晶胞在三维空间中重

复排列。

2.晶格常数是晶胞边长的倍数，用于描述晶格的大小。

3.晶体结构可分为离子晶体、共价晶体和金属晶体等

不同类型。

晶体结构中可能存在各种晶体缺陷，包括：

1.点缺陷：晶体中原子位置的缺陷，主要包括实际缺

陷和自间隙缺陷两种类型。

2.线缺陷：晶体中存在的晶面上或晶内的线状缺陷，

主要包括位错和脆性断裂两种类型。

3.面缺陷：晶体中存在的晶面上的缺陷，主要包括晶

面位错和穿孔两种类型。

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1.3半导体制备与加工

半导体制备与加工是指将半导体材料制备成具有特定电性

能的器件的过程。它包括晶体生长、掺杂、薄膜制备和微电子

加工等步骤。

晶体生长是将半导体材料从溶液或气相中生长出来的过程。

常用的晶体生长方法包括液相外延法、分子束外延法和气相外

延法等。

掺杂是为了改变半导体材料的导电性能，通常会对其进行

掺杂。常用的掺杂方法包括扩散法、离子注入和分子束外延法

等。

薄膜制备是将半导体材料制备成薄膜的过程。常用的薄膜

制备方法包括物理气相沉积、化学气相沉积和溅射等。

微电子加工是为了制造微电子器件而对半导体材料进行加

工。常用的微电子加工技术包括光刻、腐蚀和薄膜沉积等。

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