1323S03008-半导体器件原理-课程教学大纲-2023级用-2024年修.docxVIP

PAGE7

ADDINCNKISM.UserStyle《半导体器件原理》课程教学大纲

（理论课程）

一、课程基本信息

课程号

1323S03008

开课单位

电子信息工程学院

课程名称

（中文）半导体器件原理

（英文）PrincipleofSemiconductorDevice

课程性质

必修

考核类型

考试

课程学分

4

课程学时

68

课程类别

专业核心课

先修课程

量子与固体物理，半导体物理，集成电路工艺原理

适用专业（类）

电子科学与技术

二、课程描述及目标

（一）课程简介

《半导体器件原理》课程是电子科学与技术专业的一门专业核心课程，旨在通过理论教学，使学生掌握从晶体管模型建立到定量分析的基本思路和方法，掌握①晶体管理论的发展概况和建立过程以及晶体管的分类，了解实际工程问题中所涉及的一些非技术因素；②小注入理论、大注入理论及其解析模型；③不同条件下采取合理化近似的方法，能够利用连续方程和电荷控制方程进行定量分析；④学习并掌握晶体管的直流、交流、功率、并关、噪声等特性，建立晶体管的电学参数等内部结构参数之间的制约关系；⑤分析理论数据与实测结果存在偏差的原因，并给出修正方案；⑥了解实际工程问题及科学研究中寄生现象对晶体管参数的影响；⑦能够初步设计晶体管的结构参数等基础知识和原理，具备根据不同要求设计晶体管各项参数的基本能力，提高学生分析和解决问题的能力，为数字集成电路、模拟集成电路等后续课程以及在以后的工程实际和科学研究中奠定必要的微电子器件基础。

（二）教学目标

通过本课程，学生将掌握从晶体管模型建立到定量分析的基本思路和方法，能够根据不同要求设计晶体管的各项参数，提高学生分析和解决实际工程和科学研究问题的能力。

课程目标1：以全球及我们国家集成电路发展历程为切入点，激发学生对集成电路相关知识的学习兴趣，提高学生对自主知识产权重要性的认识。能利用泊松方程、连续性方程和电流方程推导常见半导体器件的电场分布、电位分布、pn结内建电势、载流子分布、I-V方程。

课程目标2：掌握二极管、双极结型晶体管（BJT）和MOS场效应晶体管（MOSFET）的基本模型及工作过程的定性分析。

课程目标3：能定性和定量地说明关键结构参数对二极管、BJT和MOSFET电学特性的影响。

三、课程目标对毕业要求的支撑关系

毕业要求指标点

课程目标

权重

1-2：能针对微电子器件和电路单元建立数学模型并求解

课程目标1

0.2

1-3：能够将专业知识和数学模型用于推演、分析电子科学与技术领域复杂工程问题

课程目标2

0.4

2-1：能运用相关科学原理，识别和判断电子科学与技术领域复杂工程问题的关键环节

课程目标3

0.3

四、教学方式与方法

教学中，要尽可能发挥学生的主体作用，鼓励学生积极参与教学活动，包括思维的参与和行为的参与。教师的讲授和指导、学生的自主探索与合作交流合理安排。教师要创设适当的问题情境，鼓励学生发现物理规律和解决问题的途径，使其经历知识形成的过程。

加强几何直观，重视图形在学习中的作用，鼓励学生借助直观进行思考。用图形语言刻画问题、用图形语言寻求解决问题的思路、用图形语言描述问题的结果的能力。

根据教学内容、目标以及学生的实际情况，留给学生适当的拓展、延伸空间和时间，对有关课题作进一步探索、研究。例如，利用单一pn结制作太阳电池、用BJT的变化器件制作光电探测器等都可作为拓展、延伸的内容。

充分尊重学生的人格和学生在学习上的差异，采用适当的教学方式，激发学生对半导体器件物理学习的兴趣，帮助学生养成良好的学习习惯，形成积极探索的态度以及勤奋好学、勇于克服困难和不断进取的学习精神。

教师应不断反思自己的教学过程，改进教学方式，提高自己的教学水平，形成个性化的教学风格。

五、教学重点与难点

（一）教学重点

1. pn结空间电荷区的形成。非平衡pn结中电流的形成及载流子的分布。理性和实际二极管的直流I-V方程。势垒电容、扩散电容和二极管交流i-v方程。二极管开关特性。pn结击穿特性。

2. BJT处于放大状态时内部载流子的传输过程，晶体管为何具有电流放大的能力。BJT的直流I-V方程及特性曲线。BJT直流电流放大系数的表达式，厄尔利效应。BJT的反向击穿电压，穿通的概念及影响。BJT基极电阻的概念及表达式。

3. BJT的交流小信号i-v方程的建立。高频参数及等效电路，共基极和共射极交流放大系数及截止频率。高频功率增益和最高振荡频率。

4. BJT的大注入效应、基区扩展效应、发射极电流集边效应。BJT的最大耗散功率。BJT的二次击穿现象和机理分析。BJT的安全工作区界定。

5. Ebers-Moll模型及等效电路。电荷控制模型及等效电路。BJT的开关过程与开关时间。

6. 噪声系数。噪声的来源。

7. MOSFET的结