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- 2024-11-28 发布于广东
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SVG105R5NT(S)说明书
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、沟道增强型场效应管
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描述
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SVG105R5NT(S)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
120A，98V，RDS(on)
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