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AOT5N100/AOTF5N100
1000V,4AN-ChannelMOSFET
GeneralDescriptionProductSummary
TheAOT5N100AOTF5N100arefabricatedusinganVDS1100@150℃
advancedhighvoltageMOSFETprocessthatisID(atVGS=10V)4A
designedtodeliverhighlevelsofperformanceandRDS(ON)(atVGS=10V)4.2W
robustnessinpopularAC-DCapplications.Byproviding
lowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanche
capabilitythispartscanbeadoptedquicklyintonewand
existingofflinepowersupplydesigns.
100%UISTested
100%RTested
g
TopView
TO-220TO-220FD
SG
D
GDSS
G
AOT5N100AOTF5N100
AbsoluteMaximumRatingsT=25°Cunlessotherwisenoted
A
ParameterSymbolAOT5N100AOTF5N100Units
Drain-SourceVoltageVDS1000
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