微电子技术新进展.pptVIP

器件及互连线延迟器件内部延迟2厘米连线延迟（bottomlayer）2厘米连线延迟（toplayer）2厘米连线延迟约束00.511.522.533.54199719992001200320062009延迟值(ns)互连技术与器件特征尺寸的缩小新型器件结构-高性能、低功耗晶体管1FinFET2NanoElectronicDevice新型材料体系SOI材料应变硅高K介质金属栅电极3第三个关键技术:新器件与新材料4ChallengestoCMOSDeviceScalingBULKSiCMOSisexpectedtodominateforatleastthenext10-15yearswhilescalingoftraditionalFETsisexpectedtoslowinthenext5-10years,sofindingwaystoaddfunctionandimproveperformanceoffutureICswithnewmaterialsanddevicestructuresiscrucial.SOI(Silicon-On-Insulator）

绝缘衬底上的硅技术微电子技术是50年来发展最快的技术Moore’sLaw:Quantitative世界上第一台计算机1946年2月14日第一台通用电子计算机：ENIAC0118,000个电子管70000个电阻、10000个电容器以及6000个继电器组成。大小：长24m，宽6m，高2.5m速度：5000次/sec；重量：30吨；功率：140KW；平均无故障运行时间：7minMooreSchool，Univ.ofPennsylvania02微处理器的发展微处理器的发展1979年3月16Bit2.9万晶体管5到8MHz1.5μm1985年10月32Bit27.5万晶体管16到32MHz1μm8088Intel3861971年第一个微处理器40042000多个晶体管10μm的PMOS工艺1982年286微处理器13.4万个晶体管频率6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz40441989年4月25到50MHz1-0.8μm32Bit120万晶体管Intel486Pentium1993年3月32Bit310万晶体管60到166MHz0.8μmP6(PentiumPro)in1996150to200MHzclockrate196mm**25500Ktransistors(externalcache)0.35micron4layersmetal3.3voltVDD20WtypicalpowerDissipation387pins1999年2月，英特尔推出PentiumIII处理器，整合950万个晶体管，0.25μm工艺制造2002年1月推出的Pentium4处理器，其整合5500万个晶体管，采用0.13μm工艺生产2002年8月13日，英特尔开始90nm制程的突破，业内首次在生产中采用应变硅；2005年顺利过渡到了65nm工艺。2007年英特尔推出45nm正式量产工艺，45nm技术是全新的技术，可以让摩尔定律至少再服役10年。多核微处理器AMD四核“Barcelona”处理器采用300mm晶圆，45纳米技术制造微电子技术的主要发展方向(1)二、微电子技术的主要发展方向(1)电子信息类产品的开发明显出现了两个特点：(1)开发产品的复杂程度激增;(2)开发产品的上市时限紧迫（TTM)集成电路在电子销售额中的份额逐年提高已进入后PC时代计算机（PC)-----Computer通讯（CellTelephone)---Communication消费类电子(汽车电子）---Consumption二、微电子技术的主要发展方向(2)集成电路追求目标3G(G=109)---3T(T=1012)存储量（GB—TByte）速度（GHz—THz)、数据传输率(Gbps-Tbps,bitspersecond)三个主要发展方向：继续增大晶圆尺寸和缩小特征尺寸集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC