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*例5-4字擴展用兩片64K×8位的SRAM晶片構成容量為128KB的記憶體連接P213圖5-22計算兩晶片的地址範圍*存儲容量的字位擴展若已有存儲晶片的容量為L×K，要構成容量為M×N的記憶體，需要的晶片數為：（M/L）×（N/K）進行位擴展(多片並連)以滿足字長要求的“存儲模組”對“存儲模組”進行字擴展以滿足容量要求*例5-5字位擴展用2164晶片構成128KB的記憶體2164:64K×1所需晶片數:16片所需地址線根數:217=12816根地址線2選1到2164的地址線上進行片內尋址:28×28=64K1根地址線作為片選*5.3只讀記憶體（ROM）掩模ROM一次性可寫ROM可讀寫ROM分類EPROM（紫外線擦除）EEPROM（電擦除）*5.3.1EPROM特點：可多次編程寫入掉電後內容不丟失內容的擦除需用紫外線擦除器*EPROM27648K×8bit晶片，其引腳與SRAM6264完全相容：地址信號：A0~A12數據信號：D0~D7輸出信號：OE片選信號：CE編程脈衝輸入：PGMP214**記憶體系統*5.1概述主要內容：半導體記憶體的基本概念記憶體的分類及其特點兩類半導體記憶體的主要區別*記憶體的一般概念存儲容量：記憶體中存儲單元的總數記憶體的兩種基本操作：1讀操作2寫操作*記憶體的分類記憶體：主機內部的記憶體用來存儲當前運所需要的程式和數據CPU可直接訪問記憶體並與其交換資訊容量小，但存取速度快外存：主機外部的記憶體用來存放當前不用的程式和數據CPU不能對它直接訪問容量大，但存取速度慢存儲介質：半導體，磁性材料，光碟*半導體記憶體記憶體是電腦中用來記錄資訊的設備。由能夠表示二進位數“0”和“1”的、具有記憶功能的一些物理器件組成能存放一位二進位數的物理器件稱為一個存儲元若干存儲元構成一個存儲單元*內記憶體的分類內記憶體隨機記憶體（RAM）只讀記憶體（ROM）靜態記憶體（SRAM）動態記憶體（DRAM）掩模ROM一次性可寫ROMEPROMEEPROM*主要技術指標存儲容量—每晶片的存儲容量存取時間和存取週期平均故障間隔時間（MTBF）（可靠性）功耗CPU讀寫記憶體的時間必須大於存儲晶片的額定存取時間*5.2隨機記憶體(MOS型)要求掌握：SRAM與DRAM的主要特點幾種常用記憶體晶片及其與系統的連接記憶體擴展技術*5.2.1靜態記憶體SRAM存儲元由雙穩電路構成，存儲資訊穩定p199典型的SRAM晶片62648K×828根引腳P200*6264晶片的主要引線(28=13+8+4+3)地址線：A0～A12數據線：D0～D7輸出允許信號：OE寫允許信號：WE選片信號：CS1，CS2213=23×2108bitCPU讀CPU寫同時有效時選中接AB的低13位由AB的高位地址和控制信號解碼產生*6264的工作過程讀操作與寫操作寫操作的工作時序P201WECS1CS2OED0~D7001×寫入1010讀出×00×高阻×11××10×*6264晶片與系統的連接D0~D7A0A12???WEOECS1CS2???A0A12MEMWMEMR解碼電路高位地址信號D0~D78088系統BUSSRAM6264*解碼電路解碼電路—將輸入的一組二進位編碼變換為一個特定的輸出信號6264解碼—用於選中某一個記憶體晶片，從而確定該記憶體晶片在內存中的地址範圍。全地址解碼與部分地址解碼*全地址解碼用全部的高位地址信號作為解碼信號，使得記憶體晶片的每一個單元都佔據一個惟一的記憶體地址*全地址解碼的連接所接晶片的地址範圍F0000H~F1FFFHA19A18A17A16A15A14A13?16264CS1P203圖5-5,5-7*部分地址解碼用部分高位地址信號（而不是全部）作為解碼信號，使得被選中得記憶體晶片佔有幾組不同的地址範圍下例使用高6位地址作為解碼信號，從而使被選中晶片的每個單元都佔有兩個地址，即這兩個地址都指向同一個單元優點:解碼器的構成簡單缺點:減