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*解碼電路將輸入的二進位（地址）編碼變換為一個特定的輸出信號，即： 將輸入的高位地址信號通過變換，產生一個有效的輸出信號，該信號選中某一個記憶體晶片，使該記憶體晶片進入工作狀態。參與解碼的高位地址信號決定了記憶體的地址範圍。*解碼方式全地址解碼部分地址解碼*全地址解碼用全部的高位地址信號作為解碼器的輸入記憶體晶片的每一個存儲單元都具有唯一的記憶體地址，即存儲單元與地址編號是一對一的關係。*全地址解碼例A19A18A17A16A15A14A13?16264CS1全部高位地址信號（A19-A13）都作為解碼器輸入。低位地址信號（A12-A0）接到6264的地址引腳。6264的地址範圍=？*部分地址解碼用部分高位地址信號（而不是全部）作為解碼器的輸入記憶體晶片的每一個存儲單元具有多個記憶體地址，即存儲單元與地址編號是一對多的關係。*部分地址解碼例A18不參加解碼，從而使被選中晶片的每個單元都擁有兩個地址。6264的地址範圍＝？A19A17A16A15A14A13?16264CS1*應用舉例將SRAM6264晶片與系統連接，使其地址範圍為：38000H~39FFFH。使用74LS138解碼器構成解碼電路。*應用舉例D0~D7A0A12???WEOECS1CS2???A0A12MEMWMEMRD0~D7A19G1G2AG2BCBAA18A14A13A17A16A15+5VY0???系統匯流排74LS1386264*二、動態隨機記憶體DRAM特點：存儲元主要由電容構成，由於電容存在的漏電現象而使其存儲的資訊不穩定，故DRAM晶片需要定時刷新。*典型DRAM晶片2164A2164A：64K×1bit採用行地址和列地址來確定一個單元；行列地址分時傳送。共用一組地址信號線地址信號線的數量僅為同等容量SRAM芯片的一半。01000100COLROW存儲矩陣*2164A的內部結構A0～A7存儲矩陣256×256行地址鎖存及解碼列地址鎖存及解碼......列放大器...DoutDin控制電路RAS#CAS#WE#*主要引線RAS：行地址選通信號。用於鎖存行地址；CAS：列地址選通信號。地址匯流排上先送上行地址，後送上列地址，它們分別在RAS和CAS有效期間被鎖存晶片中。A0-A7：地址線DIN：數據輸入DOUT：數據輸出WE=0數據寫入WE=1數據讀出WE：寫允許信號*工作時序數據讀出數據寫入刷新，一次一行*2164A在系統中的連接利用8片2164A構成64KB存儲體；通過選擇控制晶片將存儲體與系統相連。簡化的電路原理圖*§6.3只讀記憶體（ROM）特點：可隨機讀取數據，但不能隨機寫入；掉電後資訊不丟失*一、EPROM特點：可多次編程寫入；掉電後內容不丟失；內容的擦除需用紫外線擦除器。*典型EPROM晶片27648K×8bit晶片，其引腳與SRAM6264完全相容；地址信號：A0~A12數據信號：D0~D7輸出信號：OE片選信號：CE編程脈衝輸入：PGM*2764的工作方式數據讀出編程寫入擦除標準編程方式快速編程方式編程寫入：每出現一個編程脈衝就寫入一個位元組數據P249表*二、EEPROM特點：可線上編程寫入；掉電後內容不丟失；電可擦除。*工作方式數據讀出編程寫入擦除位元組寫入：每次寫入一個位元組自動頁寫入：每次寫入一頁（32位元組）位元組擦除：一次擦除一個位元組片擦除：一次擦除整片*典型EEPROM晶片98C64A：容量8K×8；13根地址線（A0－A12）；8位數據線（D0－D7）；輸出允許信號（OE）；寫允許信號（WE）；選片信號（CE）；狀態輸出端（READY/BUSY）。*98C64A的寫入方法方法1：每寫入一個位元組都判斷READY/BUSY端的狀態，僅當該端為高電平時才可寫入下一個位元組。方法2：每寫一個位元組後，等待一段時間(≥10ms)再寫下一個位元組。98C64A的寫入時間為5－10ms*EEPROM晶片應用例使用98C64A作為記憶體晶片，晶片地址為30000H——31FFFH