半导体存储器课件.pptVIP

記憶體——用以存儲二進位資訊的器件。半導體記憶體的分類：根據使用功能的不同，半導體記憶體可分為兩大類：（1）隨機存取記憶體（RAM）也叫做讀/寫記憶體。既能方便地讀出所存數據，又能隨時寫入新的數據。RAM的缺點是數據易失，即一旦掉電，所存的數據全部丟失。（2）只讀記憶體（ROM）。其內容只能讀出不能寫入。存儲的數據不會因斷電而消失，即具有非易失性。記憶體的容量：記憶體的容量=字長（n）×字數（m）一．RAM的基本結構由存儲矩陣、地址解碼器、讀寫控制器、輸入/輸出控制、片選控制等幾部分組成。8.1隨機存取記憶體（RAM）1.存儲矩陣圖中，1024個字排列成32×32的矩陣。為了存取方便，給它們編上號。32行編號為X0、X1、…、X31，32列編號為Y0、Y1、…、Y31。這樣每一個存儲單元都有了一個固定的編號，稱為地址。2．地址解碼器——將寄存器地址所對應的二進位數譯成有效的行選信號和列選信號，從而選中該存儲單元。採用雙解碼結構。行地址解碼器：5輸入32輸出，輸入為A0、A1、…、A4，輸出為X0、X1、…、X31；列地址解碼器：5輸入32輸出，輸入為A5、A6、…、A9，輸出為Y0、Y1、…、Y31，這樣共有10條地址線。例如，輸入地址碼A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，則行選線X1＝1、列選線Y0＝1，選中第X1行第Y0列的那個存儲單元。3．RAM的存儲單元例.六管NMOS靜態存儲單元4.片選及輸入/輸出控制電路當選片信號CS＝1時，G5、G4輸出為0，記憶體禁止讀/寫操作不工作；當CS＝0時，晶片被選通：當＝1時，G5輸出高電平，G3被打開，於是被選中的單元所存儲的數據出現在I/O端，記憶體執行讀操作；當＝0時，G4輸出高電平，G1、G2被打開，此時加在I/O端的數據以互補的形式出現在內部數據線上，記憶體執行寫操作。二.RAM的工作時序（以寫入過程為例）讀出操作過程如下：（1）欲寫入單元的地址加到記憶體的地址輸入端；（2）加入有效的選片信號CS；（3）將待寫入的數據加到數據輸入端。（3）在線上加低電平，進入寫工作狀態；（4）讓選片信號CS無效，I/O端呈高阻態。三．RAM的容量擴展1．位擴展:用8片1024（1K）×1位RAM構成的1024×8位RAM系統。2．字擴展:用8片1K×8位RAM構成的8K×8位RAM。RAM的晶片簡介(6116)6116為2K×8位靜態CMOSRAM晶片引腳排列圖：A0～A10是地址碼輸入端，D0～D7是數據輸出端，是選片端，是輸出使能端，是寫入控制端。（2）一次性可編程ROM（PROM）。出廠時，存儲內容全為1（或全為0），用戶可根據自己的需要編程，但只能編程一次。8.2只讀記憶體(ROM)一．ROM的分類--------按照數據寫入方式特點不同：（1）固定ROM。廠家把數據寫入記憶體中，用戶無法進行任何修改。（3）光可擦除可編程ROM（EPROM）。採用浮柵技術生產的可編程記憶體。其內容可通過紫外線照射而被擦除，可多次編程。（5）快閃記憶體（FlashMemory）。也是採用浮柵型MOS管，記憶體中數據的擦除和寫入是分開進行的，數據寫入方式與EPROM相同，一般一只晶片可以擦除/寫入100次以上。（4）電可擦除可編程ROM（E2PROM）。也是採用浮柵技術生產的可編程ROM，但是構成其存儲單元的是隧道MOS管，是用電擦除，並且擦除的速度要快的多（一般為毫秒數量級）。E2PROM的電擦除過程就是改寫過程，它具有ROM的非易失性，又具備類似RAM的功能，可以隨時改寫（可重複擦寫1萬次以上）。二．ROM的結構及工作原理1. ROM的內部結構由地址解碼器和存儲矩陣組成。2.ROM的基本工作原理：由地址解碼器和或門存儲矩陣組成。例：存儲容量為4×4的ROM二極體固定ROM舉例（1）電路組成：由二極體與門和或門構成。與門陣列組成解碼器，或門陣列構成存儲陣列。（2）輸出信號運算式與門陣列輸出運算式：（3）ROM存儲內容的真值表或門陣列輸出運算式：1.作函數運算表電路【例7.2—1】試用ROM構成能實現函數y=x2的運算表電路，x的取值範圍為0～15的正整數。三．ROM的應用【解】（1）分析要求、設定變數引數x的取值範圍為0～15的正整數，對應的4位二進位正整數，用B=B3B2B1B0表示。根據