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FUJITSUMICROELECTRONICS
DS05-13103-7E
DATASHEET
MemoryFRAM
CMOS
1MBit(128K×8)
MB85R1001
■DESCRIPTIONS
TheMB85R1001isanFRAM(FerroelectricRandomAccessMemory)chipconsistingof131,072wordsx8bits
ofnon-volatilememorycellscreatedusingferroelectricprocessandsilicongateCMOSprocesstechnologies.
TheMB85R1001isabletoretaindatawithoutusingaback-upbattery,asisneededforSRAM.
ThememorycellsusedintheMB85R1001canbeusedfor1010read/writeoperations,whichisasignificant
improvementoverthenumberofreadandwriteoperationssupportedbyFlashmemoryandE2PROM.
TheMB85R1001usesapseudo-SRAMinterfacethatiscompatiblewithconventionalasynchronousSRAM.
■FEATURES
•Bitconfiguration:131,072words×8bits
•Read/writeendurance:1010times/bit
•Operatingpowersupplyvoltage:3.0Vto3.6V
•Operatingtemperaturerange:−40°Cto+85°C
•Dataretention:10years(+55°C)
•Package:48-pinplasticTSOP(1)
Copyright©2005-2009FUJITSUMICROELECTRONICSLIMITEDAllrightsreserved
2009.8
MB85R1001
■PINASSIGNMENTS
(TOPVIEW)
A11148OE
A9247NC
NC346GND
A8445A10
A13544CE1
WE643NC
CE
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