微电子概论（第3版）课件2-4-5外延结构BJT.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

1.基区串联电阻2.4.5BJT功率特性2.基区横向压降与发射极电流集边效应3.功率BJT的交叉梳状结构版图设计目录4.外延结构晶体管

4.外延结构晶体管(1)早期晶体管存在的频率-功率特性矛盾早期的平面晶体管中，衬底材料同时起集电区的作用。为了保证晶圆的强度，在工艺加工过程中不易破碎，衬底厚300μm左右，而BJT核心部分只在表面几μm范围。早期分立BJT剖面图

4.外延结构晶体管(1)早期晶体管存在的频率-功率特性矛盾要增大BJT输出功率，则电源电压较高，要求BJT具有较高的击穿电压，这就要求提高ρc。由于采用低掺杂的衬底材料，则集电区串联电阻RC偏大，导致特征频率fT必然较低。因此早期大功率晶体管只能工作于较低频率。早期分立BJT剖面图

4.外延结构晶体管(1)早期晶体管存在的频率-功率特性矛盾为了提高BJT的fT，要求减小集电区串联电阻RC，为此要求降低集电区材料的电阻度ρc，则BC结击穿电压必然偏低。因此早期高频晶体管的输出功率均较低。很难实现同时具有高频、大功率性能的BJT。早期分立BJT剖面图

4.外延结构晶体管(2)外延晶体管结构如果采用低电阻率材料衬底，在衬底上采用外延技术生长一层电阻率较高的薄外延层，然后在外延层上制作晶体管，这就称为外延晶体管结构。早期晶体管结构为而外延晶体管结构为外延BJT

4.外延结构晶体管(3)外延结构晶体管的优点高阻外延层作为集电区使得集电区掺杂浓度NC较低，满足了对功率晶体管高击穿电压的要求；低电阻率的衬底则使得集电区掺杂浓度NC较高，降低了集电区串联电阻RC，满足了高频晶体管提高特征频率的要求。外延BJT

4.外延结构晶体管(3)外延结构晶体管的优点在半导体器件发展史上，随着外延技术的发明，出现了外延结构晶体管，解决了BJT高频与大功率要求之间的矛盾，明显提高了晶体管的功率-频率特性，出现了高频大功率晶体管。现代双极晶体管，无论是分立BJT器件或者集成电路中的BJT，基本都是采用外延结构BJT。外延BJT

4.外延结构晶体管(4)外延层参数（外延层厚度与电阻率）的设计考虑①按照不发生外延层穿通的要求确定外延层厚度为了在CB结击穿之前不发生外延层穿通，外延层厚度depi应满足下述要求：记BC结击穿时CB结势垒区宽度为xdm，其中向集电区一侧扩展的范围为(xdm)C注：生长dSiO2厚度氧化层消耗0.44dSiO2厚度的硅外延BJT

4.外延结构晶体管(4)外延层参数（外延层厚度与电阻率）的设计考虑②按照击穿电压要求确定外延层电阻率首先由偏置电压VCE确定对BVCE的要求再根据BVCE和BVCB的关系由BVCE确定对BVCB的要求最终根据pn结击穿电压与轻掺杂一侧掺杂浓度的关系，由BVCB确定对外延层掺杂浓度NC的要求，进而计算得到对外延层电阻率ρepi的要求。目前IC代工厂已积累有根据VCE直接确定外延层电阻率的实用工程数据。