微电子概论（第3版）课件2-4-7BJT模型EM1.pptx

目录1．BJT模型：E-M模型与G-P模型2.4.7BJT模型与模型参数2．E-M1模型3．E-M2模型4．E-M3模型5．讨论

1．BJT模型：E-M模型与G-P模型(1)E-M模型与G-P模型通用的BJT模型主要有两种：由J.J.Ebers和J.L.Moll提出的E-M模型由Gummel和Poon提出的G-P模型两种模型的结果和包含的模型参数基本一样，只是建立模型的过程不同其中E-M模型建立过程与BJT工作物理过程有直接联系，更易于理解本节针对通用电路模拟软件Spice中采用的模型为对象，介绍E-M模型

1．BJT模型：E-M模型与G-P模型(2)关于E-M模型按照考虑物理效应内容的不同，E-M模型分为三个级别：EM-1模型为描述BJT基本工作原理的直流特性模型；在EM-1模型基础上考虑串联电阻以及势垒电容和扩散电容就成为EM-2模型;在EM-2模型基础上再考虑二阶效应就成为EM-3模型。

2．E-M1模型(1)基本关系式（针对npn晶体管）说明：符号Vb’e’、Vb’c’分别表示相应势垒区两端（不是引出端）电压。若偏置为：IE=-IF电流定义方向为流进电极电流为正。则流过BE结的电流为：IF=IES[exp(eVb’e’/kT)-1]得Vb’e’≠0,Vb’c’=0IC=αFIF

说明：符号Vb’e’、Vb’c’分别表示相应势垒区两端（不是引出端）电压。若偏置为：电流定义方向为流进电极电流为正。则流过BC结的电流为：IR=ICS[exp(eVb’c’/kT)-1]得Vb’e’=0,Vb’c’≠0IE=αRIRIC=-IR2．E-M1模型(1)基本关系式（针对npn晶体管）

一般情况下：则得：这就是晶体管直流特性模型Vb’e’≠0,Vb’c’≠0IF=IES[exp(eVb’e’/kT)-1]IR=ICS[exp(eVb’c’/kT)-1]IE=-IF＋αRIRIC=αFIF-IRαF、αR、IES、ICS2．E-M1模型(1)基本关系式（针对npn晶体管）包括4个参数：IE=-IFVb’e’≠0,Vb’c’=0IC=αFIFVb’e’=0,Vb’c’≠0IE=αRIRIC=-IR这4个参数并不相互独立，需要进一步处理。

由电路理论中的互易定理：记为：则：IE=-IF＋αRIRIC=αFIF-IRαFIES=αRICSIS=αFIES=αRICSIS称为晶体管饱和电流αFIF=αFIES[exp(eVb’e’/kT)-1]=IS[exp(eVb’e’/kT)-1]记为：ICC=IS[exp(eVb’e’/kT)-1]，下标CC代表CollectorCollectedαRIR=αRICS[exp(eVb’c’/kT)-1]=IS[exp(eVb’c’/kT)-1]记为：IEC=IS[exp(eVb’c’/kT)-1]，下标EC代表EmitterCollected2．E-M1模型(1)基本关系式（针对npn晶体管）IF=IES[exp(eVb’e’/kT)-1]IR=ICS[exp(eVb’c’/kT)-1]

将和带入端电流表达式则得：αFIF=ICC=IS[exp(eVb’e’/kT)-1]αRIR=IEC=IS[exp(eVb’c’/kT)-1]IE=-IF＋αRIR=-ICC/αF+IEC包含3个独立的模型参数：αF、αR和IS。IC=αFIF-IR=ICC-IEC/αR2．E-M1模型(1)基本关系式（针对npn晶体管）IE=-IF＋αRIRIC=αFIF-IR

ICC=IS[exp(eVb’e’/kT)-1]IEC=IS[exp(eVb’c’/kT)-1]IE=-ICC/αF+IEC这就是针对共基极情况BJT端电流与端电压关系的器件模型。IC=ICC-IEC/αR2．E-M1模型(1)基本关系式（针对npn晶体管）对于普遍采用的共射极情况，应将α转换为共射极电流放大系数β其中：只要知道共基极正向电流放大系数αF、反向电流放大系数αR和晶体管饱和电流IS这三个模型参数的值，就可以采用上述器件模型，计算电压Vb’e’和Vb’c’作用下产生的端电流IE和IC。

式中：2．E-M1