微电子概论（第3版）课件3-1-1平面工艺基本原理.pptx

目录1．集成电路芯片与封装3.1.1集成电路与平面工艺2．关于“平面工艺”

(1)集成电路与芯片半导体集成电路具有多种不同封装外形。外引线数目从几根到上千根。按封装材料分，使用最多的是塑料封装要求较高的采用陶瓷封装还有采用金属外壳封装。1．集成电路芯片与封装

(1)集成电路与芯片若打开封盖，就会发现不同集成电路封装内部的组成都基本相同。核心部分是固定在底座上的半导体集成电路小片，称为管芯，或叫芯片。同时采用内引线将芯片上电路引出端与封装外壳外引线相连。封装外壳起保护芯片作用，帮助芯片散热，同时便于实际应用。1．集成电路芯片与封装

1．集成电路芯片与封装(1)集成电路与芯片金属封装

(2)集成电路工艺集成电路制造工艺包括芯片制造（前工序）和组装（后工序）两个阶段。其中核心部分是芯片制造。1960s晶体管制造采用的平面工艺和外延技术是半导体器件制造技术的重大变革，不但大幅度地提高了分立半导体器件的频率、功率特性，改善了器件的稳定性和可靠性，而且也使半导体集成电路的工业化批量生产得以成为现实。虽然平面工艺技术不断得到改进，但是目前硅集成电路制造采用仍然的是平面工艺。可以从不同方面认识“平面工艺”。1．集成电路芯片与封装

(1)“选择性掺杂”2．关于“平面工艺”集成电路的重要组成部分是半导体器件，包括半导体二极管、双极晶体管、场效应晶体管等。这些器件内部都包括一个或多个pn结、以及不同层次绝缘层和金属层。因此，制造集成电路的核心问题是如何按设计要求，在半导体材料内部的不同区域形成要求的一个或多个pn结、以及绝缘层、金属层。其中形成pn结的基本原理是基于半导体物理中介绍的“掺杂”与“补偿”进行的“选择性掺杂”。

2．关于“平面工艺”在某种导电类型的半导体材料内部，采用“掺杂”的方法掺入n型施主杂质或者p型受主杂质，则通过“补偿”过程，可以改变该区域的导电类型。例如，对于n型半导体材料，若通过掺杂使得其中局部区域掺入的受主杂质浓度大于材料中的施主杂质浓度，则该局部区域半导体材料就成为p型，与n型材料之间形成了pn结。只要进行多次这种“掺杂”、“补偿”，就可以以形成最终的晶体管和集成电路芯片结构。(1)“选择性掺杂”

2．关于“平面工艺”依据“掺杂”与“补偿”原理，采用“选择性掺杂”技术就可以控制在在半导体材料内部构成pn结的区域。“选择性掺杂”包括氧化、光刻、掺杂三道工序。这也是平面工艺中的重要工序。(1)“选择性掺杂”

2．关于“平面工艺”实现“选择性掺杂”工艺过程实例：①氧化：在Si表面生成一层SiO2②光刻：在SiO2层上采用光刻工艺刻蚀出一个窗口③掺杂：通过窗口掺入杂质，改变局部区域导电类型，形成pn结对于N型Si衬底，掺入的是p型杂质（例如三价元素B）(1)“选择性掺杂”

2．关于“平面工艺”说明：为了方便起见，分析器件内部工作原理时通常采用剖面图显示器件内部结构。(1)“选择性掺杂”

2．关于“平面工艺”平面工艺中是采用光刻工艺确定选择性掺杂的窗口。器件内部不同绝缘层、金属层的形状和尺寸也是通过光刻工艺确定的。因此光刻工艺是平面工艺的核心技术。目前表征工艺水平采用的“工艺节点”，例如28纳米工艺工艺节点、5纳米工艺节点，主要就是反映了光刻工艺水平的高低。3.1.3节将详细介绍工艺节点的概念以及划分方法。(2)平面工艺的核心技术-光刻

2．关于“平面工艺”光刻工艺中确定刻蚀窗口范围的是“版图”中的图形。集成电路设计人员完成电路设计后，还需要将电路设计转化为“版图”。版图中不同图形的作用就是确定选择性掺杂窗口以及不同绝缘层和金属层的位置、形状和尺寸。实际上设计人员提交给代工厂的是集成电路版图设计结果数据文件。代工厂首先生成光刻用的光刻版，再采用光刻版进行工艺加工，制造芯片。(3)“版图”是IC设计和工艺加工之间的桥梁

2．关于“平面工艺”分析问题时，通常都同时显示器件结构剖面图以及制造过程中采用的版图。例如，描述选择性掺杂形成的pn结时，采用矩形图形显示表面窗口图形形状，采用剖面结构图描述纵向p区以及n区范围。对于集成电路设计人员，应该熟悉理解版图-剖面图之间的对应关系，并了解实现的工艺过程。(3)“版图”是IC设计和工艺加工之间的桥梁版图剖面图

(4)晶圆与芯片2．关于“平面工艺”在平面工艺中芯片并不是单个加工的，工艺加工的对象是“