微电子概论（第3版）课件4-4-1CMOS集成器件与电路设计-硅栅CMOS器件 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

4.4.1硅栅CMOS器件4.4CMOS集成器件与电路设计4.4.2CMOS电路中的寄生效应目录4.4.3CMOS集成电路版图设计实例

特点高工艺容错能力，低成本，低功耗，抗干扰能力强；开关特性好，适合做二进制数字电路尺寸不敏感，静态逻辑功能与尺寸无关，高设计容错能力易于模块化，自动化设计技术相对成熟VinVoutCLVDDVDDVDDVin=VDDVin=0VoutVoutRnRp|VGS|

CMOS反相器最基础的CMOS电路由一个NMOS和一个PMOS构成绘制版图时，切记MOS管是四端器件Substrate/WellisconnectedtoVSSWellisconnectedtoVDDMOS管是四端器件NMOSDSDSIDDSBPMOSDSDSIDDSB

CMOS集成电路版图图层定义CMOS工艺是平面工艺，一步（多步）工艺过程对应一层的平面几何图形平面几何图形遵守特定的设计规则，不同层之间采用不同的颜色和填充表示，以方便区分（nm工艺，采用双重图形甚至三重、四重图形技术，同层图形之间也需要通过不同着色进行区分）

CMOS集成电路版图图层定义CMOS工艺是平面工艺，一层工艺过程对应一定的平面几何图形平面几何图形遵守特定的设计规则，不同层之间采用不同的颜色填充表示，以方便区分（nm工艺，采用双重图形技术甚至三重、四重图形技术，同层图形之间也需要通过不同着色进行区分）

n阱CMOS反相器工艺过程VinVoutCLVDDPolysiliconInOutVVDDGNDPMOS2lMetal1NMOSContactsNWell平面工艺，一层版图对应一（多）层掩膜，一步工艺过程

n阱CMOS反相器cell设计单元（cell）等高不等宽单元预先设计验证，建库，基于单元（cell-based）集成通过EDA工具按约束摆放，构建互连线

CMOS单元库参数实例ttypical=tintrisic+(Kload?Cload)TTPD=KProcess?[1+(KVolt?ΔVdd)]?[1?(KTemp?ΔT)]?ttypical