微电子概论（第3版）课件2-5-3-B-VGS小于0情况特性分析.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.VGS=0情况下源漏特性2.5.3JFET直流特性定性分析2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性4.JFET直流转移特性3.截止区与夹断电压

2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性(1)偏置与导电沟道形状(a)偏置特点分析VGS0；VDS≥0.(b)导电沟道形状特点分析尽管VGS为负，导电沟道形状还是与零偏时一样.在沟道区中，源端沟道截面积最大，沿沟道方向从源到漏沟道截面积不断减小，漏端沟道截面积最小。但是由于p型栅极电压VGS已经为负，所以，整个沟道均比零偏情况下的窄。

2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性(2)ID-VDS关系分析对比VGS=0情况，可得VGS0情况下ID-VDS特性的特点。(a)线性区和过渡区由于整个沟道均比零偏情况窄，即沟道电阻比零偏情况大，所以源漏电流ID比零偏情况小。线性区和过渡区

2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性(2)ID-VDS关系分析(b)夹断电压与饱和区沟道夹断时，漏端与栅之间的电位差VDG都保持不变，等于VDS(sat0)。又VDG=VDS+VSG，所以夹断时的电压VDS（即VDS(sat)）为：VDS(sat)=VDG-VSG=VDS(sat0)-VSG=VDS(sat0)-︱VGS︳（注意：VGS＜0，即VSG＞0）所以VDS(sat)＜VDS(sat0)而且，VGS反偏绝对值越大，VDS(sat)越小。

2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性(2)ID-VDS关系分析(b)夹断电压与饱和区线性区和过渡区夹断饱和区

2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性(2)ID-VDS关系分析(c)击穿区又VDG=VDS+VSG，所以击穿时的VDS，即击穿电压BVDS为：BVDS==VDG-VSG=BVDS0-VSG=BVDS0-︱VGS︳所以BVDS＜BVDS0，而且，反偏绝对值越大，BVDS越小。如果VDS继续增加到使VDG=BVDS0，则JFET击穿。记这时电压为BVDS。说明实际上这时真正击穿还是由于D-G之间耗尽层电压达到击穿电压BVDG。但是由于栅上已经有电压VSG，所以表现出的BVDS就小于VSG=0时的BVDS，即小于BVDS0。

2.VGS0情况下源漏ID-VDS特性(2)ID-VDS关系分析(c)击穿区

3.截止区与夹断电压(1)截止区与夹断电压的含义对于n沟JFET，若VDS＝0。如果VGS＜0源端栅源之间pn结已处于反偏如果VGS很负，会使源端的耗尽层扩展到整个沟道区。沟道夹断整个沟道区消失。即使VDS0，漏源之间只有很小的pn结反偏漏电流流过，称这时的VGS为夹断电压(VP)。

3.截止区与夹断电压(1)截止区与夹断电压的含义当VGSVP时，源端的沟道处于夹断状态，JFET中不再存在任何导电沟道，IDS趋于0，称JFET处于截止区。图中实例，VP为-4V。VGS(-4V)区域（红色区域）为截止区。截止区

3.截止区与夹断电压(2)夹断电压的表达式若n沟JFET栅源之间的pn结为单边突变结（p＋n结），VGS等于夹断电压VP时源端沟道刚刚夹断，上下两个耗尽层的宽度之和正好等于厚度2a。所以对单边突变结沟道越厚，掺杂浓度越高，则VP越负。截止区

3.截止区与夹断电压(3)饱和电压与夹断电压的关系VGD＝VGS－VDS在漏端，VGD可以表示为：在漏端沟道刚刚被夹断的情况下，栅漏之间反偏电压VGD（栅和夹断点之间的电压）的值就等于VP；漏端刚夹断时，漏源电压VDS即为饱和电压Vdsat。VP＝VGS－VDSat上式可表示为：结论不同VGS作用下饱和电压VDsat与夹断电压的关系为：VDsat＝VGS－VP截止区

4.JFET直流转移特性转移特性描述漏源饱和电流IDSS随栅源电压VGS变化的情况。反映了栅源电压VGS对漏极电流ID的控制特性。通常用饱和区中的ID-VGS关系表示图中VGS＝0时的漏源饱和电流记为IDSS0。与IDSS＝0对应的电压VGS即为夹断电压VP