微电子概论（第3版）课件2-6-8CMOS.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.CMOS反相器工作原理2.6.8CMOS结构2.CMOS反相器特点3.CMOS结构与阱

1.CMOS反相器工作原理(1)CMOS反相器结构组成CMOS：ComplementaryMOS（互补型MOS）由一个增强型PMOS器件与一个增强型NMOS器件串联而成。PMOS器件源-衬底连接并接正电压VDD（对应逻辑高电平)，NMOS器件的源-衬底连接并接地（对应逻辑低电平）。两个器件的栅极连在一起，作为电路输入端。两个器件的漏极连在一起，作为电路输出端。

1.CMOS反相器工作原理(2)CMOS反相器工作原理PMOS器件栅源电压VGS为(-VDD)PMOS器件处于导通状态输出Output近似与PMOS器件源短接(a)输入电压为0V（对应低电平）输出电压近似等于VDD，为高电平器件起到“非”的作用对应传输特性曲线上的A点注意此时NMOS器件栅源电压为0，处于截止状态，电流趋于0。

1.CMOS反相器工作原理(2)CMOS反相器工作原理NMOS器件栅源电压VGS为VDD，大于其阈值电压NMOS器件处于导通状态输出端Output近似与NMOS器件源短接(b)输入电压为VDD（对应高电平）输出为低电平器件起到“非”的作用，对应传输特性曲线上的B点。注意此时PMOS器件栅源电压为0，处于截止状态，电流趋于0。

2.CMOS反相器特点反相器电路不但起到反相功能，而且在两种稳定的逻辑状态下，两个串接的MOS器件中总有一个处于截止状态。除了泄漏电流外，没有直接从正电源到地的电流通道。CMOS电路的最大特点是直流（静态）功耗非常低。CMOS在现代数字集成电路中占据了绝对的主导地位。

3.CMOS结构与阱(1)CMOS采用的“阱”MOSFET的沟道是在导电类型相反的衬底材料上形成的CMOS中同时包含的NMOS和PMOS要求不同导电类型的衬底CMOS集成电路中采用了一种称为“阱（Well）”的结构

3.CMOS结构与阱(2)n阱与p阱按照阱的导电类型不同，分为n阱与p阱两种。n阱CMOS反相器结构图实例。p阱CMOS反相器结构图情况类似。

3.CMOS结构与阱(3)双阱N沟和P沟器件分别制作在两种阱中。通过优化每种阱中的掺杂，可以分别控制每种MOSFET的阈值电压和跨导，改进CMOS电路的性能。