微电子概论（第3版）课件4-3-4双极集成器件与电路设计-npn晶体管横向结构设计 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

4.3.1双极晶体管结构4.3双极集成器件与电路设计4.3.2双极晶体管寄生效应4.3.3npn晶体管纵向结构设计目录4.3.5双极集成电路版图设计4.3.4npn晶体管横向结构设计4.3.6双极集成电路版图设计实例

概述设计指标：依据电路对晶体管性能参数要求，来设计确定集体管的平面几何图形尺寸设计对象：①发射极有效周长（影响电流大小）；②隔离区尺寸设计（隔离区和基区、隔离区和集电结）；

1.发射极有效周长设计发射极有效周长主要考虑大电流时不要发生电流集边效应导致电流放大系数下降；满足设计规则要求对于模拟电路，Ke约为(0.04~0.16)mA/μm增大Le，RC将减小；工程中，大电流需求的晶体管多采用多发射极条结构为了保证晶体管电流放大系数不发生明显下降，晶体管工作时允许发射极最大电流IEM与发射极有效周长Le的关系为：IEM＝KeLe对于数字电路，β影响不大，Ke约为(0.16~0.4)mA/μm

2.隔离区尺寸设计隔离区尺寸设计主要考虑满足设计规则要求考虑基区掺杂会发生横向扩散，隔离区和基区之间的安全距离为扩散结深的0.8倍，再考虑最大隔离结和集电结反偏连接时最大耗尽层宽度χmc和χmb的影响，以及光刻的套刻误差和余量Δ，集电结边缘到隔离墙的版图尺寸为：0.8(χjs＋χjc)＋χmc＋χmb＋Δ