基于SiC器件的精密直线电机驱动技术研究.pdf

哈尔滨工业大学工学硕士学位论文

摘要

高速高精度直线电机系统凭借其优越的定位性能，被广泛应用于超精密加工、

半导体光刻等尖端制造工业。提高其驱动系统的开关频率能够显著提升电流环带

宽、位置精度、输出推力等指标参数，但是基于硅的功率器件在长期工作运行条

件下稳定在10kHz，难以进一步提升驱动系统开关频率。宽禁带功率器件具有提

高系统效率、简化驱动拓扑、减少功率变换频次等优势，能够满足提升直线电机

驱动系统开关频率的需求，但同样存在降低硬件稳定性、降低系统电磁兼容特性、

高开关频率下的损耗较大等缺陷。本文以永磁直线同步电机驱动控制系统的设计

为基础，针对采用SiCMOSFET后驱动控制系统出现的问题，围绕其性能特点

对驱动系统的电路拓扑、控制策略和散热模型展开研究。具体研究内容如下：

首先，针对SiC器件的高速开关特性在高开关频率下会造成桥臂直通或者器

件击穿的问题，研究开关瞬态下正负向串扰产生的原理并推导串扰电压的尖峰数

值，详细分析并联栅源极电容和改变驱动电压两种抑制串扰方法的优缺点，提出

一种兼具抑制串扰和快速开关特性的新型串扰抑制驱动电路。

其次，针对高开关频率下死区效应加重PMLSM运行不稳定、损耗严重等现

象的问题，详细推导死区在时间、电压、输出推力和谐波等参数引入的误差。设

计一种基于电压的死区补偿策略，其关键参数包括补偿电压的计算和电流极性的

判断，前者采用基于误差参数的离线计算方式和基于扰动观测器的在线调节方式，

后者采用结合滤波器、滞环比较器、饱和函数措施处理后再获取。

再次，针对高开关频率下基于SiC器件的驱动器损耗加重的问题，建立强迫

风冷散热方式下的SiCMOSFET的损耗模型、热阻模型和散热器的热阻模型，

推导驱动器散热系统热参数与热阻的表达式，通过优化散热器热阻和体积关系完

成散热系统尺寸参数设计。

最后，为验证上述驱动技术设计的有效性，搭建以PMLSM、DSP/FPGA模

块、主功率电路等为核心的PMLSM驱动控制系统，重点设计包括主功率电路、

-5V/+15V驱动电压电路、光耦隔离电路、模拟采样电路和保护电路的驱动器，

完成相关实验验证，其中，设计的新型串扰抑制驱动电路实现了明显的串扰抑制

效果并保持良好的驱动性能，死区补偿策略有效地消除死区效应并解决了零电流

钳位问题，设计的散热系统具有优异的散热能力和较小的体积，满足驱动系统的

性能需求。

关键词：SiC器件；电机驱动；串扰；死区效应；散热。

I

哈尔滨工业大学工学硕士学位论文

Abstract

Thehigh-speedandhigh-precisionlinearmotorsystemiswidelyusedincutting-

edgemanufacturingindustriessuchasultraprecisionmachiningandsemiconductor

lithographyduetoitssuperiorpositioningperformance.Increasingtheswitching

frequencyofitsdrivingsystemcansignificantlyimprovethecurrentloopbandwidth,

positionaccuracy,outputthrustandotherindicators.However,silicon-basedpower

devicesarestableat10kHzunderlong-termoperatingconditions,makingitdifficultto

furtherincreasetheswitchingfrequencyofthedrivingsystem.Widebandgappower

deviceshaveadvantagessuchasimpr