材料科学基础课件 (2).pptVIP

第四章非晶态固体 非晶态固体：原子在空间排布没有长程序的固体 非晶态固体范畴：玻璃、非晶态金属及非晶态半导体等 结构是认识和研究物质的基础，然而，非晶态固体的结构比晶体要复杂得多。第61页，共95页，星期日，2025年，2月5日第四章非晶态固体§4-1非晶态固体的特征与表述§4-2非晶态半导体§4-3非晶态金属§4-4玻璃§4-5非晶态高分子第62页，共95页，星期日，2025年，2月5日§4-1非晶态固体的特征与表述

一、非晶态固体的结构特征非晶态固体的微结构无序态的类型双体相关函数第63页，共95页，星期日，2025年，2月5日§4-1非晶态固体的特征与表述

二、非晶态固体的结构表征函数（一）径向分布函数RDF原子径向分布函数约化径向分布函数(二)结构描述参数结构精确描述参量第64页，共95页，星期日，2025年，2月5日§4-1非晶态固体的特征与表述

三、非晶态固体的短程序短程序分类（一）化学短程序（CSRO）化学短程序化学短程序参数(二)几何短程序(GSRO)与局域结构参数Voronoi多面体Voronoi多面体的指数(Fi)描述Voronoi多面体与配位数及局域原子体积?第65页，共95页，星期日，2025年，2月5日§4-2非晶态半导体

一、非晶半导体的结构模型结构原子间的几何关系定义几何短程有序GSRO几何短程序局域结构参数1.非晶态固体内的流体静压力P2.VonMises切应力?3.与近邻原子的球对称性发生椭圆偏离的度量参数?第66页，共95页，星期日，2025年，2月5日§4-2非晶态半导体

一、非晶半导体的结构模型蚀状组态和交错组态非晶半导体结构模型微晶模型非晶子模型连续无规网络模型(CRN)描述非晶半导体的两类参量：一类是局域原子团，由短程有序参数确定；另一类参量表征局域原子团互连成网络的拓扑特点。第67页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

一、位错的结构类型位错密度：在单位体积晶体中所包含的位错线的总长度。第29页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

二、位错的应力场(一)位错的应力场 刃型位错：连续弹性介质模型：设一内半径rc，外半径R的无限长的空心弹性圆柱，圆柱轴与z轴重合。将它沿径向切开至中心，将切面两侧沿x轴相对移动一个距离b，然后再粘合起来,畸变状态与含正刃型位错晶体相似，可通过它求出刃型位错的应力场第30页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

一、位错的结构类型螺型位错：连续弹性介质模型：弹性圆柱切开至中心，然后将切面两侧沿z轴相对移动b，再粘合起来，就得到沿z轴的螺型位错模型第31页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

二、位错的应力场(二)位错的应变能与线张力刃型位错、螺型位错、混合型位错应变能的计算位错线张力：位错线长度增加一个单位时，晶体能量的增加直线形位错：T大约等于mb2弯曲位错线：正、负位错在远处会部分抵消，系统能量变化小于mb2，常取第32页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

二、位错的应力场(三)位错核心位错核心错排严重，不能再简化为连续弹性体。以点阵模型解决派—纳(Peierls-Nabarro)模型：实际上是不完全的点阵模型。设晶体由被滑移面隔开的两个半块晶体组成。衔接处直接考虑原子间相互作用，内部简化成连续弹性介质。 派-纳模型中位错的能量组成：两部分。一是两半晶体中的弹性应变能（主要分布于位错核心之外）；另一是滑移面两侧原子互作用能（错排能）（基本集中于位错核心范围内）第33页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

三、位错的运动位错的运动方式：刃型位错：滑移：位错线沿着滑移面移动；攀移：位错线垂直于滑移面的移动。螺型位错：只作滑移第34页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

三、位错的运动(一)位错的滑移三类位错的滑移特性位错滑移的驱动力：设想位错受到一种力而运动（实际上位错是一种原子组态，力是作用于晶体中的原子）。使位错发生运动的力。称为位错运动的驱动力。注意：驱动力不必一定是外力，晶体内部质点、界面或其它位错引起的应力第35页，共95页，星期日，2025年，2月5日§2-2位错

三、位错的运动点阵阻力：源于晶格结构的周期性，滑移面两侧原子之间的相互作用力派-纳应力：派-纳模型，提出了为克服点阵阻力推动位错前进所必须的滑移力和相应的切应力：第