逻辑门电路课件.pptVIP

2.5MOS門電路2.5.2CMOS反相器(非門)CMOS邏輯門電路是由N溝道MOS和P溝道MOS互補而成。COVDDTPTN圖2.5.5CMOS反向器ViVoAY1.工作原理（設VDD＞（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|）（1）當Vi=0V時，TN截止，TP導通。輸出VO≈VDD。（2）當Vi=VDD時，TN導通，TP截止，輸出VO≈0V。Y=A0導通截止101導通截止截止VVDDTPTNoCO0iDP導通2.電壓傳輸特性(見圖2.5.6)vIvOVDDVTH0VDD1/2VDD(1)ab段:VI＜VTN,TN截止，TP導通，VO=VDD。abcdfCOVDDTPTNViVoAY(2)bc段:VI≥VTN,TN開始導通，但內阻較大，故VO略有下降,iD逐漸增加,功耗增加。(4)de段:與bc段對應。VI繼續增加，TN工作在非飽和區（可變電阻），TP工作在飽和區，VO繼續下降。(3)cd段:VI在0.5VDD附近,TN,TP均導通，並隨著VI的增加均飽和；且內阻較小，iD最大，功耗最大。把VI=0.5VDD稱做閾值電壓VTH。1/2VDD轉折區TN、TP均在飽和區VTPVTNDDTH,V21V=(5)ef段:與ab段對應。VI繼續增加，TN工作在非飽和區，TP工作在截止區，VO≈0。VTNTN截止TN在內阻較大的飽和區TP在內阻較小的可變電阻區TP在飽和區TN在可變電阻區TP截止e可變電阻區恒流區（飽和區）截止區vGS=-1Vv=-3VDSGSvGSvvGS(mA)=-2VDi=0VvGS=5Vv=3VDSGSvGSvvGS(mA)=4VDi=6V可變電阻區恒流區（飽和區）截止區NMOSPMOS門電路是數字電路最基本的單元電路。主要有與、或、非、與非、與或非、異或門等。本章重點討論集成TTL門電路及CMOS門電路的工作原理、邏輯功能及外部特性。2.1二極體的開關特性邏輯門電路R+5VuoS1、二極體的開關作用閾值電壓VTHiIRvVD0V5VRD_+uo在數字電路中,二極體常工作在開關狀態: 導通(VDVTH) 截止(VDVTH)2、二極體的開關時間ViitfeIRIFtltstreVFVRt1t2tt二極體開關狀態的轉換需要時間： 開通時間：tfe關斷時間：tretfetreVD0V5VRD_+uo因為：正向時，PN結擴散電阻很小，IF=（VF-VD）/R≈VF/R；反向時，PN結擴散電阻很大，IR=VR+VD）/R。IR很小。正向時，擴散到對方區域的載流子變成少子，並不能立即複合消失，而是在一定路程（LN、LP）內，一面繼續擴散，一面複合消失。於是在P區存儲大量的電子，在N區存儲大量的空穴，並建立一定的濃度梯度，如左圖。電荷的存儲等效為擴散電容充電。充電的時間，就是導通時間tfe。+PN_______+++++...............。。。。。。。。。。。。。。。E外E內LNLP反向時，外電場加強內電場，這些電荷一方面與多子複合，另一方面在電場作用下，把P區的電子被拉回N區，N區的空穴被拉回P區，形成較大的漂移電流IR。這個作用等效為擴散電容放電。在這些存儲電荷消失之前，PN結仍處於正向偏置，結電阻很小，反向電流IR=（VR+VD）/R≈VR/R。tS後，存儲電荷顯著減少，阻擋層逐漸變寬，結電阻變大，IR變小，而後截止。_+反向時的外電場ViitfeIRIFtltstreVFVRt1t2tt在數字電路中,三極管常工作在開關狀態（截止或飽和），相當於由基極電流控制的無觸點開關。2.2三極管的開關特性0V5VRc+5VuoRbR+5Vuo