第三章嵌入式硬件平台设计.pptVIP

当进行数据写操作时，cache分为两类:读操作分配cache和写操作分配cache。对于读操作分配cache，当进行数据写操作时，如果cache未命中，只是简单地将数据写入主存中。主要在数据读取时，才进行cache内容预取。对于写操作分配cache，当进行数据写操作时，如果cache未命中，cache系统将会进行cache内容预取，从主存中将相应的块读取到cache中相应的位置，并执行写操作，把数据写入到cache中。*3.4.2高速缓冲存储器第53页，共75页，星期日，2025年，2月5日存储管理单元MMU(MemoryManageUnit)在CPU和物理内存之间进行地址转换，将地址从逻辑空间映射到物理空间（内存映射）实现虚拟地址空间到物理存储空间的映射；存储器访问权限的控制；设置虚拟存储空间的缓冲特性。 页表是实现上述功能的一个重要手段，它实际上是位于内存中的一个对照表。3.4.3存储管理单元第54页，共75页，星期日，2025年，2月5日存储器单元的段页式管理为了实现不同层次的管理，系统提供了基于段或页的存储器访问方式段（section）：由1MB的存储器块构成 大页（largepage）：由64KB的存储器块构成 小页（smallpage）：由4KB的存储器块构成 微页（tinypage）：由1KB的存储器块构成第55页，共75页，星期日，2025年，2月5日用于存储管理的页表地址变换条目：页表的每一行对应与虚拟地址空间的一个页，该行同时保含了该虚拟内存页对应的物理内存页的地址、该页的访问权限以及缓冲特性等。我们将页表中的一行称为地址变换条目。页表存放在内存中，系统通常有一个寄存器来保存页表的基地址。ARM系统中使用的就是CP15的寄存器C2。快表：从虚拟地址到物理地址的转换实际上就是查询页表的过程。由于程序在执行过程中具有局部性，即在一段时间内只是局限在少数几个单元，为了加快页表的查询速度，在系统中通常使用一个容量更小、速度更快的存储器件来保存当前需要访问的地址变换条目，这个容量小的页表又称作快表（TLB）。第56页，共75页，星期日，2025年，2月5日1）按在系统中的地位分类3.4.4存储器设备分类主存储器（MainMemory），（内存、主存）辅助存储器（AuxiliaryMemory、SecondaryMemory），（外存、辅存）CPU直接访问速度快，用于存放系统软件、参数以及当前要运行的应用软件和数据、系统软件的部分软件。速度慢，存放全部应用软件及剩余系统软件。通过专门设备将数据先置于内存第57页，共75页，星期日，2025年，2月5日*2）按信息存取方式分类随机存取存储器RAM只读存储器ROMRandomlyAccessMemoryReadOnlyMemory掩膜式ROM可编程只读存储器PROM可改写的只读存储器EPROM、EEPROM、FLASHROM静态RAM动态RAM准静态RAM按功能分按信息存储的方式分3.4.4存储器设备分类第58页，共75页，星期日，2025年，2月5日类型基本技术特点FLASH非易失、低成本、高密度、高速度、低功耗、高可靠性。ROM成熟技术、高密度、可靠、低成本、不挥发、掩模耗时长、适合稳定编码的大规模生产。SRAM最快访问速度、高功耗、低密度、高成本。EPROM高密度、不挥发、擦除时必须用紫外线光照射。EEPROM电可擦除、可进行单字节的读/擦除/写、低可靠性、不挥发、高成本、低密度。数据保持时间最少10年。DRAM高密度、低成本、高速度、高功耗。*常见的嵌入式系统存储器第59页，共75页，星期日，2025年，2月5日3.4.5FLASH接口电路设计*Flash存储器是一种可在系统（In-System）进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程（烧写）、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器，Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。第60页，共75页，星期日，2025年，2月5日两种类型的FlashNorFlash，称为或非型闪存，或者NOR闪存NandFlash，称为与非型闪存，或者NAND闪存NorFlash是在EEPROM基础上发明的。Intel公司于1983年首次提出，在1988年商品化。NandFlash是1989年东芝公司和三星公司发明的。十几年以来，世界主要闪