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Y掺杂氧化镓基自驱动日盲紫外光电探测器研究.pdf

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    Y掺杂氧化镓基自驱动日盲紫外光电探测器研

    究

    摘要

    氧化镓(GaO)作为一种新兴的宽禁带半导体材料，拥有~4.9eV的直接超宽带隙以

    23

    及稳定的物理与化学性质，在日盲紫外探测领域具有广阔的应用前景。近年来，随着石

    油和天然气等资源的紧缺，人们开始认识到节能减碳的重要性；由于自驱动日盲紫外光

    电探测器具有不需要外部电源支持，灵敏度高、易制备及低成本等优点，受到了人们的

    广泛研究。

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