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2025年半导体EUV光刻制程优化能力考核试卷及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.EUV光刻系统中，13.5nm波长的光子主要通过以下哪种方式产生？

A.激光等离子体（LPP）

B.同步辐射（SR）

C.电子束激发荧光

D.气体放电等离子体（DPP）

2.EUV多层膜反射镜的理论最大反射率受限于哪两个关键因素？

A.材料折射率与膜层周期数

B.入射角度与膜层粗糙度

C.吸收系数与膜层界面扩散

D.光源功率与曝光时间

3.以下哪项不是EUV掩模与DUV掩模的核心差异？

A.基底材料需低热膨胀系数（CTE）

B.采用反射式结构而非透射式

C.需额外添加覆盖层（Pellicle）

D.吸收层材料通常为钽基化合物

4.在EUV光刻中，抗蚀剂的“灵敏度-分辨率-线宽粗糙度（LWR）”三角制约关系中，提升灵敏度通常会导致：

A.分辨率提高，LWR降低

B.分辨率下降，LWR升高

C.分辨率不变，LWR降低

D.分辨率提高，LWR升高

5.EUV光刻中，套刻误差（OverlayError）的主要来源不包括：

A.掩模台与晶圆台的运动精度

B.晶圆热膨胀引起的变形

C.抗蚀剂显影后的收缩效应

D.光源波长的短期稳定性

6.高数值孔径（High-NA）EUV系统（NA=0.55）相比传统NA=0.33系统，对光学系统的核心挑战是：

A.多层膜反射率需提升20%以上

B.投影物镜的镜片数量增加50%

C.像差校正难度随NA平方级增长

D.光源功率需从250W提升至500W

7.EUV光刻中，“边缘放置误差（EPE）”的计算需综合考虑以下哪组参数？

A.套刻误差、线宽粗糙度、聚焦深度

B.掩模缺陷尺寸、抗蚀剂灵敏度、曝光剂量

C.光学邻近效应校正（OPC）精度、光刻胶收缩率、刻蚀偏差

D.光源相干性、掩模3D效应、晶圆平整度

8.EUV光刻工艺中，“掩模缺陷打印（DefectPrintability）”的判定依据是：

A.缺陷尺寸是否大于最小可分辨线宽的1/3

B.缺陷引起的光强变化是否超过抗蚀剂阈值的10%

C.缺陷在掩模上的位置是否处于曝光场边缘

D.缺陷材料与掩模吸收层的反射率差异是否大于5%

9.以下哪种技术可有效降低EUV光刻中的“随机缺陷（StochasticDefects）”？

A.增加曝光剂量

B.减小抗蚀剂分子尺寸

C.降低光源带宽

D.提高掩模反射率

10.EUV光刻工艺集成中，“双重图形化（DualPatterning）”技术的主要目的是：

A.提升套刻精度

B.降低单次曝光的分辨率要求

C.减少抗蚀剂用量

D.改善晶圆表面反射率均匀性

二、填空题（每空2分，共20分）

1.EUV光刻系统中，用于将13.5nm光子反射至晶圆的多层膜通常由______和______交替沉积而成（填材料名称）。

2.LPP光源的核心靶材是______，其被高功率激光轰击后产生等离子体并辐射EUV光子。

3.EUV掩模的基本结构从下至上依次为：低CTE基底、______、吸收层、______（覆盖层）。

4.抗蚀剂的“灵敏度”通常定义为达到显影阈值所需的______，单位为______。

5.EUV光刻中，“焦深（DOF）”与数值孔径（NA）的平方成______比，与光源相干性（σ）成______比。

6.为补偿EUV掩模的“3D效应”（即吸收层高度引起的衍射光程差），通常需要对掩模图形进行______校正。

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述EUV光刻中“掩模-晶圆”投影成像的基本原理，并说明与DUV光刻的核心差异。

2.解释EUV抗蚀剂“酸扩散（AcidDiffusion）”对分辨率和LWR的影响机制，并列举两种抑制酸扩散的技术手段。

3.分析EUV光源功率（单位：W）与光刻产能（单位：片/小时）的关系，指出制约高功率光源应用的主要瓶颈。

4.说明“缺陷检测-修复-验证（DRV）”流程在EUV掩模制造中的必要性，并简述修复技术（如FIB）的局限性。

5.列举高NAEUV系统（NA=0.55）相比传统系统在工艺集成中的三个新增挑战，并提出对应的优化方向。

四、计算题（每题10分，共20分）

1.某EUV多层膜由Mo（折射率n=0.92-0.03i）和Si（n=0.95-0.01i）交替沉积，周期厚度d=7nm（Mo层3nm，Si层4nm）。