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2025年半导体制造技术考试题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种薄膜沉积技术主要通过等离子体增强降低工艺温度？

A.物理气相沉积（PVD）

B.低压化学气相沉积（LPCVD）

C.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

D.原子层沉积（ALD）

答案：C

2.极紫外光刻（EUV）的工作波长为？

A.193nm

B.248nm

C.13.5nm

D.365nm

答案：C

3.刻蚀工艺中，选择比的定义是？

A.目标材料刻蚀速率与掩模材料刻蚀速率的比值

B.横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值

C.刻蚀后表面粗糙度与刻蚀前的比值

D.刻蚀气体流量与刻蚀时间的比值

答案：A

4.离子注入后进行快速热退火（RTA）的主要目的是？

A.去除表面氧化层

B.激活掺杂原子并修复晶格损伤

C.提高薄膜附着力

D.降低表面反射率

答案：B

5.化学机械抛光（CMP）工艺中，用于控制抛光速率和表面质量的关键耗材是？

A.光刻胶

B.抛光液（Slurry）和抛光垫（Pad）

C.刻蚀气体

D.掩模板

答案：B

6.以下哪种清洗技术通过化学反应去除表面有机物，同时避免金属污染？

A.硫酸-过氧化氢混合液（SPM）清洗

B.氢氟酸（HF）稀释液清洗

C.去离子水（DIW）冲洗

D.臭氧水清洗

答案：D

7.动态随机存取存储器（DRAM）的基本存储单元由哪两部分组成？

A.晶体管和电容

B.电阻和电感

C.二极管和电感

D.晶体管和电阻

答案：A

8.先进制程中，为提高栅极控制能力，常采用的结构是？

A.平面栅（PlanarGate）

B.鳍式场效应晶体管（FinFET）

C.双极型晶体管（BJT）

D.结型场效应晶体管（JFET）

答案：B

9.以下哪种掺杂方式可实现亚微米级的精确掺杂？

A.热扩散

B.离子注入

C.气相掺杂

D.固相掺杂

答案：B

10.用于检测晶圆表面纳米级缺陷的主要设备是？

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.原子力显微镜（AFM）

C.光学缺陷检测机（AOI）

D.透射电子显微镜（TEM）

答案：C

11.3DNAND闪存中，堆叠层数增加对刻蚀工艺的核心挑战是？

A.刻蚀速率降低

B.高深宽比（HAR）下的刻蚀均匀性

C.刻蚀气体成本上升

D.刻蚀设备维护频率增加

答案：B

12.铜互连工艺中，为防止铜扩散到介质层，需沉积的阻挡层材料通常是？

A.二氧化硅（SiO?）

B.氮化钛（TiN）或氮化钽（TaN）

C.氮化硅（Si?N?）

D.多晶硅（Poly-Si）

答案：B

13.光刻工艺中，用于补偿光学邻近效应（OPE）的技术是？

A.离轴照明（OAI）

B.光学邻近校正（OPC）

C.浸没式光刻（ImmersionLithography）

D.相移掩模（PSM）

答案：B

14.以下哪种薄膜沉积技术可实现原子级厚度控制和极佳的台阶覆盖？

A.磁控溅射（MagnetronSputtering）

B.低压化学气相沉积（LPCVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

答案：C

15.2nm制程中，为解决短沟道效应，可能采用的新型晶体管结构是？

A.环栅晶体管（GAAFET）

B.双栅晶体管（DG-FET）

C.肖特基势垒晶体管（SBT）

D.高电子迁移率晶体管（HEMT）

答案：A

二、填空题（每题2分，共20分）

1.光刻分辨率公式为R=k?λ/NA，其中NA代表__________。

答案：数值孔径

2.化学机械抛光（CMP）的核心作用是实现晶圆表面的__________。

答案：全局平坦化

3.离子注入工艺中，决定掺杂深度的主要参数是__________。

答案：注入能量

4.极紫外光刻（EUV）的光源通常通过__________产生，如锡（Sn）等离子体。

答案：激光诱导等离子体（LPP）

5.存储单元中，浮栅（FloatingGate）是__________（填存储器类型）的核心结构。

答案：闪存（Flash）

6.刻蚀工艺中，Cl?和BCl?混合气体常用于__________（填材料类型）的刻蚀。

答