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2025年半导体芯片制造工职业技能考试题及答案

一、理论知识考核（共70分）

（一）单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种材料是半导体芯片制造中最常用的衬底材料？

A.锗（Ge）B.砷化镓（GaAs）C.单晶硅（Si）D.碳化硅（SiC）

答案：C

2.光刻工艺中，决定晶圆表面光刻胶线宽精度的核心参数是？

A.显影液温度B.曝光能量与掩膜版精度C.软烘时间D.涂胶转速

答案：B

3.干法刻蚀与湿法刻蚀的主要区别在于？

A.刻蚀速率B.各向异性程度C.化学试剂类型D.设备成本

答案：B（干法刻蚀通过等离子体实现各向异性，湿法刻蚀为各向同性）

4.化学机械抛光（CMP）工艺的主要目的是？

A.去除表面氧化层B.实现晶圆全局平坦化C.增强表面导电性D.提高光刻胶附着力

答案：B

5.离子注入工艺中，决定掺杂深度的关键参数是？

A.注入剂量B.注入能量C.靶材温度D.离子种类

答案：B（能量越高，离子穿透深度越大）

6.洁净室（CleanRoom）中，ISO3级环境允许的0.1μm粒子最大浓度约为？

A.1000个/m3B.100个/m3C.10个/m3D.1个/m3

答案：C（ISO等级数值越小，洁净度越高，ISO3级对应0.1μm粒子≤10个/m3）

7.以下哪种薄膜沉积工艺属于化学气相沉积（CVD）？

A.磁控溅射B.电子束蒸发C.等离子体增强CVD（PECVD）D.分子束外延（MBE）

答案：C

8.晶圆清洗工艺中，SC-1溶液（标准清洗1号液）的主要成分是？

A.H2SO4+H2O2B.NH4OH+H2O2+H2OC.HCl+H2O2+H2OD.HF+H2O

答案：B（用于去除有机污染物和颗粒）

9.光刻胶按感光特性可分为正性胶和负性胶，其中正性胶曝光后与显影液的反应是？

A.曝光部分溶解，未曝光部分保留B.未曝光部分溶解，曝光部分保留

C.全部溶解D.全部保留

答案：A

10.以下哪项不是半导体制造中常见的失效分析手段？

A.扫描电子显微镜（SEM）B.原子力显微镜（AFM）C.傅里叶变换红外光谱（FTIR）D.万用表测电阻

答案：D（失效分析需高精度仪器，万用表仅用于简单检测）

（二）判断题（每题1分，共10分，正确打“√”，错误打“×”）

1.本征半导体中自由电子和空穴浓度相等。（√）

2.湿法氧化（通入水蒸气）的氧化速率比干法氧化（通入纯氧气）慢。（×）（湿氧氧化速率更快）

3.等离子体刻蚀中，增加射频功率会降低刻蚀速率。（×）（功率增加，等离子体密度提高，刻蚀速率上升）

4.化学机械抛光中，研磨液的pH值会影响抛光速率和表面质量。（√）

5.离子注入后必须进行退火工艺，以修复晶格损伤并激活掺杂原子。（√）

6.洁净室中，人员是最大的颗粒污染源，因此需穿戴全套洁净服。（√）

7.物理气相沉积（PVD）工艺中，沉积薄膜的成分与靶材成分完全一致。（√）

8.光刻工艺中，掩膜版（Mask）的线宽精度需高于晶圆上最终图形的线宽精度。（√）（掩膜版是图形转移的母版）

9.半导体制造中，晶圆的直径越大（如300mm→450mm），单颗芯片的制造成本越低。（√）（大尺寸晶圆可生产更多芯片）

10.去离子水（DIWater）的电阻率越高，纯度越低。（×）（电阻率越高，杂质离子越少，纯度越高）

（三）简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的主要步骤及其作用。

答案：光刻主要步骤包括：（1）预处理：清洗晶圆并涂底胶（如HMDS），增强光刻胶附着力；（2）涂胶：通过旋涂法在晶圆表面均匀覆盖光刻胶；（3）软烘：加热去除光刻胶中的溶剂，提高胶膜硬度；（4）对准曝光：将掩膜版图形通过光刻机投射到光刻胶上，使其发生光化学反应；（5）显影：溶解曝光或未曝光的光刻胶（取决于正负胶类型），形成图形；（6）硬烘：进一步固化光刻胶，提高其抗刻蚀能力。

2.比较化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）的异同点。

答案：相同点：均用于在晶圆表面沉积薄膜（如SiO?、金属层）。不同点：（1）原理：CVD通过化学反应（如SiH?+O?→SiO?+H?）生成薄膜；PVD通过物理过程（如溅射、蒸发）将靶材原子转移到晶圆表面。（2）薄膜特性：CVD可实现高深宽比结构的台阶覆盖，PVD台阶覆盖性较差但均匀性好；（3）应用场景：CVD多用于绝缘层（如SiO?），PVD多用