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高频精选：工艺整合校招面试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，分辨率主要取决于？

A.曝光时间

B.光源波长

C.显影液浓度

D.光刻胶厚度

2.下列哪种薄膜沉积方法属于物理气相沉积？

A.化学气相沉积

B.原子层沉积

C.溅射沉积

D.电镀沉积

3.离子注入工艺的主要目的是？

A.改变材料表面粗糙度

B.改变材料电学性能

C.提高材料硬度

D.增加材料厚度

4.氧化工艺中，干氧氧化比湿氧氧化生长的氧化层？

A.生长速度快

B.质量好

C.厚度大

D.含氢量高

5.化学机械抛光（CMP）主要用于？

A.去除表面杂质

B.图形化工艺

C.全局平坦化

D.提高表面反射率

6.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氮气

B.氧气

C.氢气

D.氦气

7.光刻工艺中，对准精度主要影响？

A.光刻胶的灵敏度

B.图形的套刻精度

C.显影效果

D.曝光均匀性

8.扩散工艺中，杂质的扩散系数与温度的关系是？

A.温度越高，扩散系数越小

B.温度越高，扩散系数越大

C.无关

D.不确定

9.以下哪种材料常用于制作半导体器件的衬底？

A.玻璃

B.陶瓷

C.硅

D.铜

10.工艺整合的主要目标是？

A.提高单个工艺步骤的效率

B.优化整个工艺流程

C.降低设备成本

D.增加产品外观美感

多项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺的主要步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

2.常见的薄膜沉积方法有？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.电镀沉积

D.热蒸发沉积

3.离子注入工艺可能带来的问题有？

A.晶格损伤

B.杂质分布不均匀

C.表面粗糙度增加

D.材料硬度降低

4.氧化工艺的作用有？

A.作为器件的绝缘层

B.作为扩散的掩膜层

C.保护硅表面

D.提高材料导电性

5.化学机械抛光（CMP）的优点有？

A.全局平坦化效果好

B.表面损伤小

C.可用于多种材料

D.成本低

6.等离子体刻蚀的特点有？

A.各向异性刻蚀

B.刻蚀速率快

C.选择性好

D.对环境无污染

7.扩散工艺的影响因素有？

A.温度

B.时间

C.杂质浓度

D.材料种类

8.半导体器件制造中常用的光刻胶类型有？

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.中性光刻胶

D.彩色光刻胶

9.工艺整合需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.产品性能

10.以下哪些属于半导体制造中的湿法工艺？

A.湿法刻蚀

B.湿法清洗

C.化学气相沉积

D.电镀沉积

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，曝光剂量越大，光刻胶的图形分辨率越高。（）

2.物理气相沉积和化学气相沉积的主要区别在于沉积过程中是否有化学反应。（）

3.离子注入工艺可以精确控制杂质的浓度和分布。（）

4.干氧氧化生长的氧化层比湿氧氧化生长的氧化层更适合作为器件的绝缘层。（）

5.化学机械抛光（CMP）只能用于半导体晶圆的表面平坦化。（）

6.等离子体刻蚀可以实现各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。（）

7.扩散工艺中，杂质的扩散深度只与扩散时间有关。（）

8.正性光刻胶在曝光后，曝光部分会被显影液溶解。（）

9.工艺整合就是将多个工艺简单地组合在一起。（）

10.湿法工艺比干法工艺更环保。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将图形转移到涂有光刻胶的晶圆上。曝光时，光刻胶发生光化学反应，显影后，曝光或未曝光部分被去除，形成所需图形。

2.离子注入工艺与扩散工艺相比，有哪些优缺点？

优点：可精确控制杂质浓度和分布、低温工艺、可注入多种杂质。缺点：会造成晶格损伤、设备昂贵、成本高。

3.化学机械抛光（CMP）在工艺整合中的作用是什么？

CMP能实现全局平坦化，消除晶圆表面高低起伏，保证后续工艺的均匀性和精度，使多层布线等工艺顺利进行，提高器件性能和成品率。

4.工艺整合中需要考虑哪些工艺兼容性问题？

要考虑不同工艺步骤间的相互影响，如刻蚀对薄膜的损伤、高温工艺对已形成结构的影响；还要考虑材料兼容性，避免不同材料间的化学反应和相互扩散。

讨论题（每题5分，共4题）

1.随着半导体器件尺寸不断缩小，工艺整合面临哪些挑战？

尺寸缩小使工艺精度要求提高，光刻分辨率、刻蚀精度难控制；不同工艺间相互干扰加剧，如热工艺对小尺寸结构影响大；还面临散热、漏电等新问题，增加了工艺整合难度。

2.如何在工艺整合中平衡成本和产品性