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2025年研究生模电试题及答案

1.（单选）在0.18μmCMOS工艺中，若NMOS阈值电压VTHn=0.45V，PMOS阈值电压VTHp=–0.48V，电源电压VDD=1.8V，忽略沟道长度调制与体效应，则共源放大器采用PMOS有源负载时，其最大允许输出摆幅下限为

A.0.45V?B.0.48V?C.0.90V?D.1.32V

答案：B。PMOS进入线性区临界条件VSD=VSG–|VTHp|，下限即|VTHp|=0.48V。

2.（单选）某理想运算放大器开环增益Av=120dB，单位增益带宽GBW=5MHz，若将其接成同相放大器且闭环增益为20dB，则闭环–3dB带宽约为

A.50kHz?B.500kHz?C.5MHz?D.50MHz

答案：B。GBW恒定，闭环带宽=GBW/10^(20/20)=5MHz/10=500kHz。

3.（单选）图1为两级CMOS运放，若第一级输出节点寄生电容Cp=0.5pF，第二级输入跨导gm2=2mS，则该节点引入的右半平面零点频率约为

A.637MHz?B.318MHz?C.159MHz?D.64MHz

答案：A。fZ=gm2/(2πCp)=2×10?3/(2π×0.5×10?12)≈637MHz。

4.（单选）在BJT差分对中，若尾电流源IEE=200μA，晶体管β=100，Early电压VA=50V，则差模输入电阻Rid约为

A.5kΩ?B.10kΩ?C.26kΩ?D.52kΩ

答案：D。Rid=2βVT/IEE=2×100×26mV/0.1mA=52kΩ。

5.（单选）某开关电容电路使用fCLK=1MHz时钟，电容比α=8，等效时间常数τ=16μs，则其等效电阻Req为

A.2MΩ?B.1MΩ?C.500kΩ?D.250kΩ

答案：A。Req=τ/Ceq=16μs/(1pF×8)=2MΩ。

6.（单选）图2为电流镜结构，若参考电流IREF=50μA，M1与M2宽长比之比为1:4，忽略沟道长度调制，则输出电流Io为

A.12.5μA?B.50μA?C.100μA?D.200μA

答案：D。Io=IREF×(W/L)2/(W/L)1=50μA×4=200μA。

7.（单选）在LC振荡器中，若谐振回路Q=10，振荡频率f0=1GHz，则起振所需最小负阻约为

A.–12.6Ω?B.–25.1Ω?C.–50.2Ω?D.–100.4Ω

答案：B。Rloss=2πf0L/Q，负阻需≥–Rloss；取L=2nH，则Rloss≈25.1Ω。

8.（单选）某ADC采用流水线结构，每级分辨2bit，共6级，若采样率fs=100MS/s，则前端采样保持电路的带宽至少需

A.50MHz?B.100MHz?C.200MHz?D.300MHz

答案：C。根据采样保持0.35/tR≤fs/2，得BW≥200MHz。

9.（单选）图3为带隙基准，若VBE具有–2mV/℃温度系数，欲实现零温度系数输出，则?(ΔVBE)/?T需为

A.+2mV/℃?B.–2mV/℃?C.+0.6mV/℃?D.–0.6mV/℃

答案：A。ΔVBE正温度系数需抵消VBE负温度系数，故+2mV/℃。

10.（单选）在Class-D功放中，若采用BD调制，负载RL=8Ω，电源PVDD=20V，理想效率η=100%，则最大输出功率为

A.25W?B.50W?C.100W?D.200W

答案：B。Pmax=(PVDD)2/(2RL)=400/8=50W。

11.（多选）关于图4所示共栅放大器，下列说法正确的是

A.输入阻抗近似1/gm?B.电压增益为正?C.可工作于电流模式?D.噪声系数低于共源级

答案：A、B、C。共栅输入阻抗≈1/gm；信号同相放大；电流输入输出；噪声通常高于共源。

12.（多选）下列技术可有效抑制运放输入失调电压温漂的有

A.斩波稳定?B.自动调零?C.差分对版图交叉耦合?D.提高尾电流源输出阻抗

答案：A、B、C。斩波与自动调零直接抑制1/f与温漂；交叉耦合降低梯度失调；D与失调无关。

13.（多选）在锁相环中，增大环路带宽可导致

A.锁定时间缩短?B.参考杂散增加?C.相位噪声降低?D.抖动减小

答案：A、B。带宽↑→锁定快；参考杂透↑；相位噪声与抖动由噪声带宽积分决定，通常恶化。

14.（多选）关于图5所示反激式转换器，下列说法正确的是

A.可升降压?B.