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低退火温度下碳掺杂氮化硼纳米片的制备工艺与光催化性能的关联性探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着全球工业化进程的加速，环境污染和能源短缺问题日益严峻，成为了制约人类社会可持续发展的关键因素。光催化技术作为一种绿色、高效的技术手段，能够在温和条件下利用太阳能驱动化学反应，将光能转化为化学能，在环境净化、能源转化等领域展现出了巨大的应用潜力。例如，在环境净化方面，光催化技术可以有效降解空气中的有害气体，如甲醛、苯等挥发性有机化合物，以及水中的有机污染物，如染料、农药等，从而改善空气质量和水质。在能源转化领域，光催化分解水制氢被认为是解决能源危机的一种可持续策略，通过光催化剂的作用，将水分解为氢气和氧气，实现太阳能到化学能的转化。

氮化硼（BN）作为一种新型的宽带隙半导体材料，具有优异的物理化学性质，如高硬度、高化学稳定性、良好的热导率和光学性能等，在众多领域受到了广泛关注。然而，原始氮化硼的光催化性能存在一定的局限性，其宽带隙导致对可见光的吸收能力较弱，光生载流子的复合率较高，限制了其在光催化领域的应用。为了克服这些问题，研究人员尝试通过各种改性方法来提高氮化硼的光催化性能，其中碳掺杂是一种有效的手段。

碳掺杂氮化硼纳米片（C-BNNSs）通过引入碳元素，改变了氮化硼的电子结构和晶体结构，使其具有独特的物理化学性质。一方面，碳掺杂可以减小氮化硼的带隙，拓宽其光吸收范围，增强对可见光的响应能力，从而提高光催化反应的效率。另一方面，碳掺杂还可以调节氮化硼的表面性质，增加活性位点，促进光生载流子的分离和传输，进一步提升光催化性能。此外，纳米片结构的氮化硼具有较大的比表面积，能够提供更多的反应活性位点，有利于光催化反应的进行。因此，碳掺杂氮化硼纳米片在光催化领域展现出了广阔的应用前景，如在光解水制氢、二氧化碳还原、有机污染物降解等方面都具有潜在的应用价值。

在碳掺杂氮化硼纳米片的制备过程中，退火温度是一个关键的影响因素。传统的制备方法通常需要较高的退火温度，这不仅增加了制备成本和能耗，还可能导致纳米片的结构缺陷和团聚现象，影响其光催化性能。因此，开发具有低退火温度的制备工艺具有重要的现实意义。低退火温度制备可以减少能源消耗，降低制备成本，有利于实现大规模工业化生产。同时，低温制备条件可以更好地保留纳米片的结构完整性和表面活性，减少结构缺陷和团聚的产生，从而提高碳掺杂氮化硼纳米片的光催化性能和稳定性。此外，低退火温度制备还有助于探索新的制备路径和材料体系，为光催化材料的发展提供新的思路和方法。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队围绕碳掺杂氮化硼纳米片的制备及光催化性能开展了大量研究。在制备方法上，已发展出化学气相沉积法（CVD）、物理气相沉积法（PVD）、溶胶-凝胶法、高温热解法等。CVD法能精确控制碳掺杂量和纳米片生长，但设备昂贵、产量低；PVD法可制备高质量薄膜，但工艺复杂；溶胶-凝胶法操作简单、成本低，不过产物纯度和结晶度有待提高；高温热解法常需高温条件，可能影响纳米片结构与性能。

在光催化性能研究方面，许多学者发现碳掺杂可有效提升氮化硼纳米片的光催化活性。如文献中通过实验与理论计算表明，适量碳掺杂能减小氮化硼带隙，增强可见光吸收，促进光生载流子分离，从而提高光解水制氢效率。另有研究报道，碳掺杂氮化硼纳米片在有机污染物降解中表现出良好性能，对多种染料和有机化合物有高效降解能力。

然而，现有研究仍存在一些不足。一方面，当前制备方法大多存在实验条件苛刻、成本高、产量低等问题，难以满足大规模工业化生产需求；另一方面，对于低退火温度下制备碳掺杂氮化硼纳米片及其光催化性能的研究相对较少，对低温制备过程中碳掺杂机制、纳米片结构演变以及光催化性能优化的内在联系尚缺乏深入系统的认识，这在一定程度上限制了该材料的实际应用与发展。

1.3研究内容与方法

本研究旨在探索低退火温度下制备碳掺杂氮化硼纳米片的有效方法，并深入研究其光催化性能。具体研究内容包括：优化制备工艺参数，如碳源种类与用量、退火温度与时间等，以获得高质量、高活性的碳掺杂氮化硼纳米片；利用多种表征手段，如X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线光电子能谱（XPS）等，对制备的纳米片进行结构、形貌和化学组成分析，明确碳掺杂对氮化硼纳米片结构和性能的影响规律；通过光催化降解有机污染物、光解水制氢等实验，系统研究碳掺杂氮化硼纳米片的光催化性能，考察不同因素对光催化反应的影响，如催化剂用量、光照强度、反应温度等；结合理论计算，深入探讨碳掺杂氮化硼纳米片的光催化反应机理，揭示光生载流子的产生、分离和传输过程，为进一步优化材料性能提供理论依据。

在研究方法上，采用实验研究与理论计算相结合的方式。实验方面，通过设计一系列对比实