第二章 晶体结构与晶体中的缺陷.pptVIP

c.各负离子的电价是否饱和？桥氧:O2-同时连接两个Si4+，饱和非桥氧：O2-同时连接一个Si4+，两个Al3+，饱和OH-：连接两个Al3+，饱和d.单元层之间的结合力？氢键：强，单元层之间水分子不易进入，可以交换的阳离子容量小。范德华力：弱，单元层之间有水分子不易进入。e.晶体性质？层间结合力强，水分子不易进入层间，与水拌和体积不膨胀，泥料可塑性差（黏土-水系统解释）。层内力远远大于层间力，容易形成片状解理。第30页，共87页，星期日，2025年，2月5日⑷蒙脱石结构单元层间：范德华力，弱。[SiO4]4-中的Si4+被Al3+取代（同晶取代）为平衡电价，吸附低价正离子，易解吸，使颗粒荷电，因此使陶瓷制品因带某些离子具有放射性。性质：加水体积膨胀，泥料可塑性好。蒙脱石结构三层型[Al(O4OH2)]7-第31页，共87页，星期日，2025年，2月5日五、架状结构：（1）结构特点：[SiO4]4-以四个桥氧连接成三维方向架状。（2）种类石英族：纯硅氧骨架形成铝硅酸盐：一部分铝取代硅的位置。第32页，共87页，星期日，2025年，2月5日第33页，共87页，星期日，2025年，2月5日石英族：[SiO4]4-排布方式不同，形成不同的变体，从而产生同质多晶现象。第34页，共87页，星期日，2025年，2月5日第35页，共87页，星期日，2025年，2月5日作业：判断下列硅酸盐的晶体结构，要求写出判断依据。γ-Ca2[SiO4]K[AlSi3O8]CaMg[Si2O6]Mg2Al[AlSiO7]Mg3[Si4O10](OH)2第36页，共87页，星期日，2025年，2月5日§2.3晶体结构缺陷晶体结构缺陷的类型点缺陷固溶体非化学计量化合物线缺陷面缺陷第37页，共87页，星期日，2025年，2月5日缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。第38页，共87页，星期日，2025年，2月5日晶体结构缺陷的类型分类方式：几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等形成原因：热缺陷、固溶体、非化学计量化合物等第39页，共87页，星期日，2025年，2月5日一、点缺陷（零维缺陷）?缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。1.类型①根据点缺陷对理想晶格偏离的几何位置分类a.空位（vacancy）没有被占据的正常结点的位置b.间隙质点（interstitialparticle）进入晶格间隙的质点c.杂质质点（foreignparticle）?占据正常结点位置或间隙位置的外来质点第40页，共87页，星期日，2025年，2月5日晶体中的点缺陷

空位杂质质点间隙质点第41页，共87页，星期日，2025年，2月5日②按缺陷产生的原因分类a.热缺陷b.固溶体(杂质缺陷)c.非化学计量化合物第42页，共87页，星期日，2025年，2月5日2.点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号以MX型化合物为例：①空位（vacancy）用V来表示，符号中的右下标表示缺陷所在位置，VM含义即M原子位置是空的。②间隙原子（interstitial）亦称为填隙原子，用Mi、Xi来表示，其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。③杂质质点（foreignparticle）杂质质点用NM表示,NM的含义是N质点占据M质点的位置。因此该缺陷又称为错放质点。第43页，共87页，星期日，2025年，2月5日④自由电子（electron）与电子空穴(hole）分别用e，和h·来表示。其中右上标中的一撇“，”代表一个单位负电荷，一个圆点“·”代表一个单位正电荷。在某种光、电、热的作用下，可以在晶体中运动，它们不属于某一特定原子第44页，共87页，星期日，2025年，2月5日⑤带电缺陷在NaCl晶体中，取出一个Na+离子，会在原来的位置上留下一个电子e，，写成VNa’，即代表Na+离子空位，带一个单位负电荷。同理，Cl－离子空位记为VCl·，带一个单位正电荷。即：VNa’=VNa＋e，，VCl·=VCl＋h·。第45页，共87页，星期日，2025年，2月5日其它带电缺陷：a.CaCl2加入NaCl晶体时，若Ca2+离子位于Na+离子位置上，其缺陷符号为CaNa·，此符号