第2章半导体三极管.pptVIP

******************第1页，共28页，星期日，2025年，2月5日第2章半导体三极管2.3三极管的特性曲线2.3.1输入特性曲线2.3.2输出特性曲线2.4三极管的主要参数及温度的影响2.4.1主要参数2.4.2温度对三极管的特性与参数的影响2.5特殊三极管简介2.5.1光电三极管2.5.2光电耦合器第2页，共28页，星期日，2025年，2月5日本章重点半导体三极管的基本结构三极管的电流分配与放大作用三极管实现放大作用的内部及外部条件三极管的基本特性本章难点在放大区三极管具有基极电流控制集电极电流的特性三极管的开关特性用万用表判断三极管的类型、管脚及三极管质量的好坏第2章半导体三极管第3页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.1三极管的结构、符号及分类分为NPN型管和PNP型管2.1.1三极管的结构与符号第2章半导体三极管三个区：发射区基区集电区两个PN结：发射结集电结三个电极：发射极(e)基极(b)集电极(c)图2-1三极管的结构示意图与电路符号第4页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.1.2三极管的分类按结构类型分为NPN型管和PNP型管按材料分为硅管和锗管按功率大小分为大功率管、中功率管和小功率管按工作频率分为高频管和低频管按其工作状态分为放大管和开关管第2章半导体三极管第5页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.1.3三极管的外部结构第2章半导体三极管图2-2常见三极管的外形结构图第6页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.2三极管的电流分配与放大作用第2章半导体三极管三极管实现放大作用的内部条件，制作时：基区做得很薄，且掺杂浓度低发射区的掺杂浓度高集电结面积大于发射结面积外部条件，即发射结正向偏置，集电结反向偏置(a)为NPN型管的偏置电路；(b)为PNP管的偏置电路图2-3三极管具有放大作用的外部条件第7页，共28页，星期日，2025年，2月5日图2-4三极管内部载流子的运动情况2.2.1载流子的运动及各电极电流的形成第2章半导体三极管发射区向基区发射电子形成IE的过程发射结加正偏电压，多子的扩散运动大于少子的漂移运动，发射区的多子电子源源不断地越过发射结到达基区，基区的多子空穴源源不断地越过发射结到达发射区，由电子电流和空穴电流共同形成了发射极电流IE。电子在基区扩散与复合形成IBN的过程由发射区扩散到基区的电子浓度，靠近发射结的要高于靠近集电结的，又形成了浓度差，这样电子要向集电结继续扩散。在扩散过程中，绝大部分电子扩散到集电结边沿，很少部分电子与基区的多子空穴复合，复合掉的空穴由基区电源VBB补充，从而形成基极电流IBN。电子被集电区收集形成ICN的过程集电结反偏，使内电场增强，因此一方面阻止了集电区电子向基区扩散，另一方面将基区扩散到集电结边沿的电子收集到集电区，形成了集电极电流ICN。IEIBNICN第2章半导体三极管第8页，共28页，星期日，2025年，2月5日通过三极管内部载流子的运动可知三极管各极电流的关系IC=ICN+ICBOIB=IBN-ICBOIE=ICN+IBN=IC+IB对于PNP管，三个电极产生的电流方向正好和NPN管相反第2章半导体三极管第9页，共28页，星期日，2025年，2月5日2.2.2电流放大作用由于基区很薄，掺杂少，空穴浓度很低，从发射区发射到基区的电子(IE)大部分被集电极收集形成ICN，只有很小一部分在基区复合，形成IBN。第2章半导体三极管共发射极直流电流放大系数由于IC=ICN+ICBO，IB=IBN-ICBO所以IC=IB+(1+)ICBO当ICBO可以忽略不计时，可得把集电极电流的变化量与基极电流的变化量的比值称为三极管共发射极交流电流放大系数，用表示。第10页，共28页，星期日，2025年，2月5日第2章半导体三极管通常情况下，β=20～200。在分析估算放大电路参数时取=综上：有一小IB就可以获得大IC，实现了小基极电流控制大集电极电流，这就是三