小阴极环间距硅漂移探测器的设计和模拟.pdfVIP

ComputerScienceandApplication计算机科学与应用,2025,15(4),33-42

PublishedOnlineApril2025inHans./journal/csa

/10.12677/csa.2025.154075

小阴极环间距硅漂移探测器的设计和模拟

*

胡耀鹏，王连锴

长春理工大学物理学院，吉林长春

收稿日期：2025年2月28日；录用日期：2025年3月27日；发布日期：2025年4月3日

摘要

硅漂移探测器(silicondriftdetector,SDD)被广泛地用于X射线探测。本研究设计了小阴极环间距的SDD

结构，使用SilvacoTCAD仿真软件分别对阴极环间距为10μm和30μmSDD进行了建模与仿真，对10μm

和30μm阴极环间距SDD的电学特性进行了比较，对10μm阴极环间距SDD的电容、瞬态阳极电流和电荷

收集机制进行了分析。结果表明，相对于30μm阴极环间距SDD，10μm阴极环间距SDD有小的漏电流，

平滑的电子漂移沟道，更大的横向漂移电场，均匀的电势分布，较低的电容，电荷收集时间约为100ns。

关键词

硅漂移探测器，阴极环间距，漏电流

DesignandSimulationofSiliconDrift

DetectorwithSmallCathodeRingSpacing

YaopengHu,LiankaiWang*

SchoolofPhysics,ChangchunUniversityofScienceandTechnology,ChangchunJilin

Received:Feb.28th,2025;accepted:Mar.27th,2025;published:Apr.3rd,2025

Abstract

Silicondriftdetector(SDD)iswidelyusedforX-raydetection.ThisstudydesignedanSDDstructure

withsmallcathoderingspacing,andmodeledandsimulatedSDDswithcathoderingspacingof10

μmand30μmusingSilvacoTCADsimulationsoftware.TheelectricalcharacteristicsofSDDswith

cathoderingspacingof10μmand30μmwerecompared,andthecapacitance,transientanodecur-

rent,andchargecollectionmechanismofSDDswithcathoderingspacingof10μmwereanalyzed.

Theresultsindicatethatcomparedtothe30μmcathoderingspacingSDD,the10μmcathodering

spacingSDDhassmallerleakagecurrent,smootherelectrondriftchannel,largerlateraldrift

*通讯作者。

文章引用:胡耀鹏,王连锴.小阴极环间距硅漂移探测器的设计和模拟[J].计算机科学与应用,2025,15(4):33-42.

DOI:10.12677/csa.2025.154075

胡耀鹏，王连锴

electricfield,uniformpotentialdistribution,lowercapacitance,andchargecollectiontimeofabout

100ns.