形核辅助铸造晶体硅中杂质与缺陷控制.pdfVIP

（2）提出了一种高纯度复合杂质阻挡层，用于以改善铸造晶体硅底部少子

寿命分布：通过两层氮化硅层防止粘锅和液硅渗透；通过两层高纯石英层阻挡杂

质扩散。发现扩散阻挡层对不同生长方法中抑制底部红区的影响差异较大：对具

有单晶籽晶的铸造单晶硅铸锭显示出良好的改善效果；对具有多孔碎硅片形核层

的铸造多晶几乎没有效果；对具有原生多晶硅板形核层的铸造多晶具有较弱的改

善效果。杂质阻挡层应用于铸造单晶可使底部红区高度下降20mm以上，得率

提高约10％。此外，发现除底部固相扩散外，具有多孔结构的籽晶层更容易被气

相传输污染，将限制杂质阻挡层的作用。所以降低铸造硅底部红区应充分考虑气

相杂质传输过程的影响。

（3）针对金刚线切割的铸造多晶硅片的酸制绒改进。金刚线切割硅片不适

用酸制绒严重削弱了铸造多晶硅材料的成本优势。本研究在关注材料质量的同时，

阐述了制备和处理过程中的相关物理模型与机制。首先，发现热处理可以消除硅

片表面的应变相与非晶相，生成结构缺陷促进酸制绒腐蚀进而提高太阳电池效率；

其次，研究了硅片热处理过程对铸造多晶硅中金属杂质分布行为的影响，阐述了

相关物理过程，发现了低温热处理可以提高太阳电池的开路电压和转换效率。

关键词：太阳能，晶体硅，铸造，形核辅助，全熔法，半熔法，杂质，缺陷，扩

散，镓掺杂，表面，制绒

Abstract

SolarEnergyisthesourceoftheenergythatmankindconsumes,inwhich,

photovoltaicsisthemostrapidlydevelopingcleanenergyinthe21stcentury,andis

predictedtobethemajorenergyintheendofthiscentury.Currently,morethan95%

ofphotovoltaicmodulesarebasedoncrystallinesiliconmaterials.Asthecell/module

fabricationtechniquesaredevelopingveryfast,siliconwaferproductswithhighquality

andlowcostisstronglyneededassupport.Therefore,itneedsconsistentanddeeper

researchincrystalgrowthandrelatedscience.

PhotovoltaiccrystallinesiliconingotsweremainlyfabricatedbyCzochralskior

castmethods.Castcrystallinesiliconincludesmulticrystallineandcastmonocrystalline

silicon.Castingmethodhaskeptmarketshareadvantageduetoremarkablecost-

effectivefeatures.Conventionalmulticrystallinesiliconcontainsmassiveimpurities

andstructuraldefects,whichcausesseveredecreaseinmaterialpropertiesandsolar

cellefficiencies.Amongwhich,dislocationclustersdecoratedbymetalimpuritiesis

themostdeleterioustype,whichishardtocontrolinthecomplexsystem.Inthepast

decade,nucleationassistancemethoddevelopedrapidlyandhasbeenwidelyapplied

intheindustry.However,relatedres