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2025年开关电源技术试题及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.2025年主流开关电源中，宽禁带半导体器件（如GaN、SiC）的应用占比预计超过60%，其主要优势不包括：

A.更低的导通电阻

B.更高的工作结温

C.更复杂的驱动电路

D.更高的开关频率

2.某LLC谐振变换器在全负载范围内需保持高效率，其关键设计参数不包括：

A.谐振电感与励磁电感的比值

B.开关频率与谐振频率的匹配

C.输出整流二极管的反向恢复时间

D.变压器的漏感控制

3.数字控制技术在开关电源中的核心优势是：

A.硬件成本更低

B.动态响应速度更快

C.易于实现复杂控制算法

D.抗干扰能力更强

4.为降低开关电源的传导EMI，以下措施中效果最差的是：

A.在输入侧增加共模电感

B.优化PCB布局减少环路面积

C.采用软开关技术降低di/dt

D.提高开关管的驱动电阻

5.某48V输入、12V输出的同步Buck变换器，开关频率为1MHz，为提高效率，优先选择的器件是：

A.硅基MOSFET（Rdson=5mΩ）

B.GaNHEMT（Rdson=3mΩ，Qg=5nC）

C.SiCMOSFET（Rdson=4mΩ，Vgs_th=3V）

D.IGBT（Vce=1.2V，开关时间=200ns）

6.功率因数校正（PFC）电路中，临界导通模式（CRM）与连续导通模式（CCM）相比，主要缺点是：

A.输入电流谐波更大

B.开关管电压应力更高

C.电感体积更大

D.适用于更大功率场景

7.软开关技术中，ZVS（零电压开关）的实现条件是：

A.开关管关断前电流降至零

B.开关管开通前电压降至零

C.开关管关断时电压突变

D.开关管开通时电流突变

8.高频化（1MHz）对开关电源的影响，错误的描述是：

A.变压器和电感体积减小

B.开关管损耗（尤其是开关损耗）增加

C.EMI问题更严重

D.输出滤波电容容量需增大

9.某双向DC-DC变换器用于储能系统，需实现能量双向流动，其拓扑最合理的选择是：

A.反激变换器

B.半桥变换器

C.CLLC谐振变换器

D.单端初级电感变换器（SEPIC）

10.为提高开关电源的轻载效率，以下措施无效的是：

A.降低开关频率

B.关闭部分同步整流管

C.增加输出滤波电容容量

D.采用动态功耗管理（DPM）

二、填空题（每空1分，共20分）

1.开关电源的核心指标包括效率、功率密度、________、________和EMC性能。

2.LLC谐振变换器的三个关键谐振参数是________、________和励磁电感。

3.数字控制中常用的调制方式有________（如PID）和________（如滑模控制）。

4.GaN器件的典型开关频率可达________MHz，远高于硅基MOSFET的________MHz。

5.功率因数校正（PFC）的两种主要拓扑是________（如Boost）和________（如Flyback）。

6.软开关技术分为________（ZVS）和________（ZCS）两大类，分别针对电压和电流的突变问题。

7.高频变压器设计中需重点抑制________损耗（由趋肤效应和邻近效应引起）和________损耗（由磁芯材料的磁滞和涡流引起）。

8.同步整流技术通过________替代传统二极管，可显著降低________损耗。

9.宽输入电压范围（如85-305VAC）开关电源中，常采用________拓扑（如双BoostPFC）或________控制策略（如频率调制+占空比调制）。

10.开关电源的热设计需平衡________（如散热器面积）和________（如风扇转速），以实现高效散热与低噪声的折中。

三、简答题（每题6分，共30分）

1.比较硬开关与软开关变换器的优缺点，说明2025年软开关技术普及的主要驱动力。

2.分析数字控制在开关电源中的应用场景，列举3种典型数字控制算法并说明其适用场景。

3.阐述SiCMOSFET在高频、高压开关电源中的应用优势，需结合其材料特性（如禁带宽度、临界电场强度）。

4.说明LLC谐振变换器在宽输入电压范围（如200-400VDC输入）下的优化设计要点，需涉及谐振参数调整与控制策略配合。

5.解释高频化（1MHz）对开关电源体积和效率的双重影响，提出3种缓解效率下降的技