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低温烧结PZT基压电陶瓷：制备工艺、性能优化与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，压电陶瓷作为一类能够实现机械能与电能相互转换的关键功能材料，在众多领域发挥着不可或缺的作用。其中，PZT基压电陶瓷凭借其优异的压电性能、良好的稳定性、便捷的制造工艺以及较低的成本，在压电陶瓷领域长期占据主导地位。从精密的电子设备到先进的航空航天系统，从日常的医疗检测仪器到智能的汽车传感器，PZT基压电陶瓷都展现出了其卓越的应用价值，为现代科技的进步提供了坚实的支撑。

然而，传统的PZT基压电陶瓷烧结温度通常较高，一般在1200-1300℃左右。在如此高的烧结温度下，氧化铅会大量挥发，因为氧化铅的挥发温度约为800℃。这不仅会导致材料的化学计量比偏离预期的设计配方，进而使得PZT基压电陶瓷的电性能显著下降，还会严重污染环境，对人类的健康和生态系统造成潜在威胁。此外，过高的烧结温度还意味着更高的能源消耗和生产成本，这在当前倡导节能减排和可持续发展的大背景下，显得尤为不利。

为了有效解决上述问题，低温烧结技术应运而生，成为了PZT基压电陶瓷研究领域的热点方向。通过采用低温烧结技术，能够显著降低氧化铅的挥发量，从而保证材料化学计量比的准确性，提升PZT基压电陶瓷的性能稳定性。同时，低温烧结还可以降低能源消耗和生产成本，符合绿色环保和可持续发展的理念。此外，低温烧结使得使用银、铜等成本较低的金属作为电极成为可能，这进一步降低了生产的成本，提高了产品的市场竞争力。因此，对低温烧结PZT基压电陶瓷的深入研究，具有重要的理论意义和实际应用价值，它不仅能够推动压电陶瓷材料的技术进步，还能为相关产业的发展带来新的机遇。

1.2国内外研究现状

自20世纪60年代以来，压电陶瓷的低温烧结技术研究逐渐兴起，国内外学者主要从添加烧结助熔剂和改进制备工艺两方面展开深入探索，经过多年的不懈努力，取得了一系列令人瞩目的成果。

在添加烧结助熔剂方面，清华大学的李龙土团队在PZT二元系中添加助熔剂，成功研制出在960℃低温下烧结且性能良好的材料。这一突破性成果为PZT基压电陶瓷的低温烧结研究开辟了新的道路，众多科研人员纷纷在此基础上进行拓展和深化研究。有学者在PZT陶瓷中添加低熔点玻璃料或化合物，如B?O?-Bi?O?-CdO系玻璃等，利用液相烧结机制，有效促进了烧结过程，显著降低了烧结温度。这种方法不仅实现了低温烧结，而且添加的组分在某些情况下还能进入主晶相晶格，对材料的整体性能起到改善作用，进一步提升了PZT基压电陶瓷的综合性能。

在改进制备工艺方面，众多研究人员积极探索，取得了许多具有创新性的成果。H.Yamamura等采用多步化学共沉淀法分别合成的pbMg?/?Nb?/?O?可以在1000℃左右实现低温烧结。这种方法通过精确控制化学共沉淀的步骤和条件，成功制备出了能够在相对较低温度下烧结的材料，为改进制备工艺提供了新的思路和方法。还有研究采用微波烧结技术，将压电陶瓷置于微波炉中进行加热，在短时间内使其达到高温状态，然后快速冷却。这种技术不仅能够使材料的晶粒尺寸变小，从而提高材料的压电性能，还能避免烧结过程中的成分改变和陶瓷材料微观组织结构的变化。此外，水热法、闪光法等新型制备工艺也不断涌现，这些方法各自具有独特的优势，如加热速度快、制备速度快、结晶度高、晶粒尺寸分布均匀等，但同时也面临着一些挑战，如反应参数难以控制、设备成本较高等。

尽管国内外在低温烧结PZT基压电陶瓷方面已经取得了显著的进展，但仍然存在一些亟待解决的问题。一方面，部分低温烧结方法虽然能够降低烧结温度，但可能会对PZT基压电陶瓷的某些性能产生负面影响，如导致压电常数下降、机械品质因数降低等，如何在降低烧结温度的同时，保证材料的各项性能不受影响，甚至有所提升，是当前研究面临的一个重要挑战。另一方面，目前的低温烧结技术大多还处于实验室研究阶段，难以实现大规模工业化生产，如何将这些先进的技术转化为实际生产力，降低生产成本，提高生产效率，也是未来研究需要重点关注的方向。

1.3研究内容与方法

本研究聚焦于低温烧结PZT基压电陶瓷，旨在通过深入探究，成功开发出性能优良、适合工业化生产的低温烧结PZT基压电陶瓷材料与制备工艺。具体研究内容涵盖以下几个关键方面：

组分设计：系统研究不同添加剂对PZT基压电陶瓷烧结温度、微观结构及性能的影响。通过精心筛选和设计，探寻能够有效降低烧结温度，同时显著提高材料压电性能、介电性能和机械性能的最佳添加剂组合与含量，为低温烧结PZT基压电陶瓷的制备提供坚实的配方基础。

烧结机理研究：借助先进的材料分析技术，深入剖析低温烧结过程中PZT基压电