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电磁场与电磁波课后习题答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填入括号内，每题3分，共15分）

1.在一个理想电介质中，下列关于电位移矢量D和电场强度E的说法，正确的是：

A.D总是大于E

B.D总是小于E

C.D与E方向始终相同，但D的量值取决于介质的介电常数

D.D与E方向可能相反

2.下列哪个物理量是描述磁场中某点磁场强弱和方向的物理量？

A.磁感应强度B

B.磁场强度H

C.磁导率μ

D.磁极化强度M

3.根据法拉第电磁感应定律，闭合回路中感应电动势的大小等于：

A.穿过回路磁通量的变化率

B.穿过回路磁通量的大小

C.穿过回路磁通量的变化量

D.回路中磁感应强度的大小

4.下列哪个方程是麦克斯韦方程组中描述变化电场产生磁场关系的方程？

A.?·E=ρ/ε?

B.?×E=-?B/?t

C.?·B=0

D.?×B=μ?J+μ?ε??E/?t

5.在自由空间中传播的平面电磁波，其电场强度E、磁场强度H和波的传播方向三者之间的关系是：

A.互相垂直，且E与H共同垂直于传播方向

B.E与H平行，且都垂直于传播方向

C.E与H平行，且都沿着传播方向

D.E与传播方向平行，H与传播方向垂直

二、填空题（请将答案填入横线上，每空2分，共20分）

1.高斯定律的微分形式为________，它描述了电场场源与电场之间的关系。

2.安培环路定律的微分形式为________，它描述了磁场场源与磁场之间的关系。

3.电位移矢量D在电介质中反映了________的作用效果，它与电场强度E的关系为D=εE（适用于各向同性电介质）。

4.磁导率μ是衡量物质________性质的物理量，真空的磁导率μ?=________H·m/A。

5.位移电流的概念是由麦克斯韦引入的，它用来补充安培环路定律，使其适用于________场，其表达式为I_d=________。

三、计算题（请写出必要的文字说明、方程式和计算过程，每题10分，共30分）

1.一无限长直导线通有电流I，旁边放置一个与导线共面的矩形回路abcd，其中ab边与导线平行，距离为r?，bc边长为l，ad边长为h（h远小于r?和l）。求通过该矩形回路的磁通量。

2.一平行板电容器，极板面积为S，极板间距离为d，极板间充满相对介电常数为ε_r的电介质。当电容器充电至电压为U时，求：（1）极板间的电场强度E；（2）电容器储存的电场能量U_E。

3.在自由空间中，一平面电磁波的电场强度表达式为E=E?cos(kz-ωt)?，其中E?=100V/m，k=0.1rad/m，ω=6π×10?rad/s。求：（1）该电磁波的频率f；（2）磁场强度H的表达式；（3）波的传播速度v。

四、证明题（请给出完整的证明过程，共15分）

证明：对于在自由空间中传播的平面电磁波，其电场强度E和磁场强度H的幅值之间存在关系|E|/|H|=η?，其中η?是自由空间中的波阻抗，η?=μ?/ε?。并说明波阻抗的物理意义。

试卷答案

一、选择题

1.C

2.A

3.A

4.D

5.A

二、填空题

1.?·E=ρ/ε?

2.?×B=μ?J+μ?ε??E/?t

3.电场，自由电荷与极化电荷

4.顺磁，4π×10??

5.时变，?Φ_E/?t

三、计算题

1.解：取导线为轴线，矩形回路为侧面，作半径为r?的圆环为高斯面。由高斯定律∮B·dS=μ?I_enc，得B(r?)·2πr?=μ?I，故B(r?)=μ?I/(2πr?)。

矩形回路所围面积元dS=ldz，磁通量dΦ_B=B(r?)cosθdS=B(r?)dz（θ=0）。

总磁通量Φ_B=∫dΦ_B=∫[μ?I/(2πr?)]ldz=[μ?Il/(2πr?)]∫??dz=(μ?Il/d)。

（注意：结果与r?无关，因回路与无限长导线共面，磁场在回路平面内分布均匀）

2.解：（1）电场强度E=U/d。

（2）电位移D=ε?ε_rE=