电子行业：关注存储扩产下的半导体设备机遇.pdfVIP

证券研究报告

关注存储扩产下的半导体设备机遇

电子行业强于大市（维持）

平安证券研究所TMT团队

分析师：杨钟S1060525080001（证券投资咨询）邮箱：YANGZHONG035@

詹小瑁S1060525120001（证券投资咨询）邮箱：ZHANXIAOMAO140@

2024年12月08日

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核心观点

AI浪潮席卷全球，存储产业进入上行周期。2024年至今，AI训练工作负载的激增推动了存储市场新一轮增长，改写传统存储周期逻辑，

企业级AI资本开支成为重要支撑，驱动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长。据YoleGroup预测，2025年-2030年存储

市场收入将持续上涨，2024年至2030年的CAGR达10%；此外，预计2024年至2030年间，全球HBM收入将以33%的复合年增长率增

长，到本十年末，其在DRAM市场的份额有望达到前所未有的50%。

存储产业正进入产能扩张与量价齐升通道。为了增加Al和服务器所需的DRAM（包括HBM）的供应，2025年三星、SK海力士、美光这

三大DRAM原厂都在积极推动工艺的迁移，比如将DDR4产线转产DDR5，升级原有的DDR5产线转向HBM，以及对于部分产能的扩展，

这也导致DRAM原厂整体的资本支出同比增长超过80%。从资本开支与价格提升持续性来看，据TrendForce预测，DRAM产业的资本

支出在2026年将成长至613亿美元，年增率达14%，均价同比上升的幅度将达58%，ASP来到1.63美元；NANDFlash资本支出在2026

年预计增长至222亿美元，年增约5%，预计单价会实现32%的同比增长，ASP来到0.10美元。

国内存储扩产加速，核心设备迎来机遇。随着海外原厂将资本开支倾斜于HBM为代表的高端存储产品，传统存储的供需缺口具有持续

性，因此国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升。目前，长鑫存储已完成IPO辅导，当前其在DDR5和LPDDR5产品上正实现显著增长，

Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%，在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%，

先进制程技术发展迅猛。近期，长江存储三期正式注册成立，若项目正式投产，长江存储的产能将实现跨越式增长，计划力争到2026

年底占据全球NAND闪存供应量的15%。而在存储扩产的必然趋势下，设备作为扩产的前置环节，迎来重要机遇窗口。例如，3D堆叠

存储快速发展，为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，目前主流产品已超过200层，未来还将向1000层迈进，这使得对刻蚀设备的

需求量和性能要求呈指数级增长，同时堆叠层数增加的同时每层薄膜厚度要求严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流，这都对薄膜沉积

设备提出了更高要求。

投资建议：建议关注存储扩产背景下催生的上游半导体设备等领域投资机遇，半导体设备方面，建议关注北方华创、中微公司、拓荆科

技、华海清科、京仪装备、长川科技、芯源微、中科飞测、微导纳米等；除此之外，半导体材料及核心零部件方面，建议关注新菜应材、

江丰电子、富创精密、正帆科技、珂玛科技、石英股份，菲利华、汉钟精机、福晶科技、腾景科技、南大光电、鼎龙股份、安集科技等。

风险提示：1）供应链风险；2）国产产品性能不及预期的风险；3）市场需求不及预期的风险。

存储上行周期带来扩产机遇

AI拉动存储需求端爆发，行业进入上行周期

•多模态AI的爆发驱动存储系统的扩容与升级。随着大模型架构由单一文本交互加速向融合文本、图像及音视频的多模态方向演进，这一

技术路径的质变显著推升了模型训练与推理过程中的Tokens消耗量及数据生成规模。特别是以Sora2为代表的视频生成模型加速渗透与

迭代，对底层存储器的容量、带宽及低延迟性能提出了更为严苛的要求。据美光数据显示，AI服务器的DRAM容量需求是普通服务器的8

倍，NAND容量需求则达到3倍，单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。更关键的是，AI大模型“训练-推理-

再训练”的正循环，使得数据存储需求呈现持续放大的态势，一个GPU节点就可能消耗数百GBDRAM和数TB闪存，超大规模数据中心的需

求规模更是呈指数级扩张。随着多模态技术渗透率持续提升及全模态模型的逐步落地，海量数据吞吐将成为常态，存储行业面临确定的