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2025年半导体生产线良品率提升策略知识考察试题及答案解析

一、单选题（单选题共20题，每小题列出的四个备选项中选项中只有一个是符合题目要求的，多选、错选、不选均不得分。,共1题）

1.

1.半导体生产线中，提高良品率的根本方法是什麼？

【选项】A.增加设备投资

B.优化工艺流程

C.提高员工工资

D.缩短生产周期

【参考答案】B

【解析】优化工艺流程是提升半导体生产线良品率的核心方法，通过改进生产步骤、减少缺陷产生，可以系统性地提高产品合格率。设备投资和员工工资虽然能辅助提升效率，但并非根本方法；缩短生产周期可能加剧缺陷产生，不利于良品率提升。

2.以下哪项不属于影响半导体良品率的噪声源？

【选项】A.环境振动

B.温度波动

C.气体纯度达标

D.水泵震动

【参考答案】C

【解析】气体纯度达标是生产条件中的正常指标，反而低纯度会引发缺陷；环境振动、温度波动和水泵震动均会干扰生产，属于常见噪声源。

3.当半导体器件的光刻缺陷率上升时，应优先检查哪项环节？

【选项】A.注射v?sources

B.清洗设备

C.光刻胶涂布厚度

D.送风系统压力

【参考答案】C

【解析】光刻胶涂布厚度直接影响曝光精度，是光刻缺陷的关键因素；其他选项虽有关联，但非首要排查对象。清洗设备涉及前道工序污染，送风压力影响环境稳定性，但均不如涂布厚度直接影响光刻质量。

4.统计过程控制(SPC)在良品率提升中主要作用是什麼？

【选项】A.直接修复缺陷

B.预测异常波动

C.合理分配成本

D.自动化生产排程

【参考答案】B

【解析】SPC通过数据监控监控异常波动，实现提前干预，预防缺陷；直接修复属于维修环节，成本分配属于财务范畴，自动化排程与良品率无直接因果关系。

5.以下哪种封装技术对良品率提升的敏感性最低？

【选项】A.高密度引线键合

B.锡膏印刷

C.3D堆叠封装

D.玻璃钝化层镀膜

【参考答案】D

【解析】玻璃钝化层镀膜技术成熟且稳定性高，对良品率敏感度最低；其他选项涉及精密操作（如键合、印刷、堆叠），易受工艺参数影响。

6.磊片缺陷的“鱼骨图”分析中，最可能的影响因素是哪类？

【选项】A.操作人员技能

B.材料供应商批次

C.设备磨损程度

D.以上均可能

【参考答案】D

【解析】鱼骨图分析涵盖人、机、料、法、环五个维度，全部选项均可能导致磊片缺陷，需全面排查。

7.以下哪项工艺参数对刻蚀精度影响最大？

【选项】A.系统真空度

B.工件温度

C.气体流量稳定率

D.控制室洁净度

【参考答案】C

【解析】气体流量稳定率直接决定刻蚀速率和均匀性，对其影响最大；真空度和温度影响其次，洁净度属于环境因素，影响相对较弱。

8.在减少原子簇缺陷时，哪种元素注入方法效果最优？

【选项】A.离子束轰击

B.扩散炉氛围控制

C.等离子体源注入

D.热氧化工艺

【参考答案】C

【解析】等离子体源能精确控制注入能级，降低原子簇产生概率；其他方法或无法精准控制或效率较低。

9.半导体生产中，以下哪项属于“机会缺陷”？

【选项】A.晶圆划痕

B.斜坡形貌

C.氮原子污染

D.以上均属于

【参考答案】A

【解析】机会缺陷指随机性缺陷（如划痕），斜坡形貌是结构问题，氮原子污染属固定杂质，后者可避免。

10.良率提升项目中，SLD（短期学习曲线）通常指多长时间内实现的改进？

【选项】A.3个月内

B.6个月内

C.1年内

D.2年内

【参考答案】C

【解析】SLD指通过持续改进，项目在1年内实现的累积效率提升；6个月属短期，2年则过长。

11.良率计算中，以下哪项属于“NestedRejectionSampling”的修正项？

【选项】A.预估良率系数

B.复合层缺陷联合概率

C.声学测试覆盖率

D.供应商原材料筛选率

【参考答案】B

【解析】NestedRejectionSampling需计算复合缺陷（如划痕+气泡）的协同概率修正，其他选项与修正规则无关。

12.自动光学检测(AOI)中，以下哪项需优先优化算法？

【选项】A.曝光阈值精度

B.探测器刷新率

C.图像传输延迟

D.缺陷分类准确率

【参考答案】D

【解析】AOI算法优化直接影响缺陷分类准确率，直接关联良率提升；其他硬件参数影响较小。

13.半导体工艺中的“周期时间”与良率的关系是？

【选项】A.正相关

B.负相关

C.平衡关系

D.无影响

【参考答案】B

【解析】周期延长易导致参数漂移和缺陷累积，降低良率；缩短时间需在保证质量条件下进行。

14.以下哪种缺陷修复技术适用于深紫外光刻胶？

【选项】A.离子注入补偿

B.电子束刻蚀覆盖

C.显影液浸补

D.氮等离子体轰