半导体物理基础：载流子输运理论_（6）.载流子迁移率与电导率.docxVIP

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载流子迁移率与电导率

载流子迁移率

定义与物理意义

载流子迁移率（Mobility）是描述半导体中载流子（电子和空穴）在外电场作用下运动速度的一个物理量。它反映了载流子在半导体材料中所受的散射作用的强弱。载流子迁移率通常用符号μ表示，单位为cm2

迁移率的定义为：

μ

其中，vd是载流子的漂移速度，单位为cm/s，E是外加电场的强度，单位为V/cm

影响因素

载流子迁移率受到多种因素的影响，主要包括以下几点：

材料结构：不同材料的晶格结构对载流子的散射作用不同，从而影响迁移率。例如，硅和锗的迁移率在相同条件下会有所不同。

温度：温度升高会导致晶格振动加剧，增加晶格散射，从而降低迁移率。

掺杂浓度：掺杂浓度的增加会引入更多的杂质散射，降低迁移率。但在一定范围内，由于杂质提供的额外载流子，迁移率可能会先增加后减少。

电场强度：在高电场下，载流子的热化效应可能会导致迁移率下降。

载流子类型：电子和空穴的迁移率通常不同，因为它们在晶格中的散射机制不同。

计算方法

载流子迁移率可以通过多种方法进行计算，常见的方法包括：

散射理论：利用玻尔兹曼输运方程（BoltzmannTransportEquation,BTE）考虑不同散射机制对迁移率的影响。

实验测量：通过霍尔效应、场效应晶体管（FET）等实验方法测量迁移率。

散射理论

散射理论是基于玻尔兹曼输运方程的，考虑了晶格散射、杂质散射和载流子-载流子散射等多种散射机制。玻尔兹曼输运方程的基本形式为：

?

其中，f是载流子的分布函数，p是动量，m*是有效质量，e是电子电荷，E是外电场，If

代码示例：计算电子迁移率

以下是一个使用Python和SciPy库计算电子迁移率的简单示例。假设我们有一个简单的模型，考虑了晶格散射和杂质散射。

importnumpyasnp

fromscipy.integrateimportquad

#定义物理常数

e=1.602e-19#电子电荷(C)

hbar=1.054e-34#约化普朗克常数(J*s)

kB=1.380e-23#波尔兹曼常数(J/K)

m0=9.109e-31#自由电子质量(kg)

#定义有效质量

m_star=0.26*m0#硅中的电子有效质量

#定义温度

T=300#温度(K)

#定义电场强度

E=1e4#电场强度(V/cm)

#定义掺杂浓度

N_d=1e16#掺杂浓度(cm^-3)

#定义晶格散射率

deflattice_scattering_rate(E,T):

#假设晶格散射率为常数

return1e12

#定义杂质散射率

defimpurity_scattering_rate(N_d,T):

#假设杂质散射率为常数

return1e13*N_d

#定义总散射率

deftotal_scattering_rate(E,N_d,T):

returnlattice_scattering_rate(E,T)+impurity_scattering_rate(N_d,T)

#定义迁移率

defmobility(E,N_d,T):

tau=1/total_scattering_rate(E,N_d,T)

returne*tau/m_star

#计算迁移率

mu=mobility(E,N_d,T)

print(f电子迁移率:{mu:.2e}cm^2/V*s)

解释

物理常数：定义了电子电荷、约化普朗克常数、波尔兹曼常数和自由电子质量。

有效质量：假设电子在硅中的有效质量为自由电子质量的0.26倍。

温度：设定温度为300K。

电场强度：设定电场强度为1e4V/cm。

掺杂浓度：设定掺杂浓度为1e16cm^-3。

散射率：定义了晶格散射率和杂质散射率，假设它们为常数。

总散射率：将晶格散射率和杂质散射率相加，得到总散射率。

迁移率：利用散射率计算迁移率。

电导率

定义与物理意义

电导率（Conductivity）是描述材料导电能力的一个物理量，通常用符号σ表示，单位为S/cm。电导率反映了材料中载流子的浓度和迁移率对导电性能的影响。

电导率的定义为：

σ

其中，q是载流子的电荷量，对于电子q=?e，对于空穴q=e，n是载流子的浓度，单位为cm?3

电导率的计算

电导率的计算通常涉及以下几个步骤：

确定载流子浓度：通过掺杂浓度和本征载流子浓度来确定。

确定迁移率：通过散射理论或其他方法