电子封装热仿真：瞬态热分析all.docxVIP

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瞬态热分析原理

瞬态热分析是指在电子封装系统中，研究温度随时间变化的过程。与稳态热分析不同，稳态热分析假设系统达到稳态后温度分布不再随时间变化，而瞬态热分析则考虑了温度随时间的变化，这对于理解封装系统的热响应和优化设计至关重要。瞬态热分析通常用于以下几个场景：

启动和关闭过程：电子设备在启动和关闭过程中，温度会迅速变化，瞬态热分析可以帮助我们理解这些变化对封装材料和结构的影响。

脉冲热源：某些电子设备在工作过程中会产生脉冲热源，瞬态热分析可以模拟这些脉冲热源对封装系统的影响。

故障分析：当电子设备出现故障时，瞬态热分析可以用来模拟故障状态下温度的变化，从而帮助诊断故障原因。

瞬态热传导方程

瞬态热传导方程是描述温度随时间和空间变化的基本方程，其数学形式如下：

ρ

其中：-ρ是材料的密度-Cp是材料的比热容-T是温度-t是时间-k是材料的热导率-Q

边界条件和初始条件

在进行瞬态热分析时，需要定义边界条件和初始条件。边界条件包括：-Dirichlet边界条件：指定边界上的温度-Neumann边界条件：指定边界上的热流密度-Robin边界条件：指定边界上的对流换热系数和环境温度

初始条件则是指定系统在初始时刻的温度分布。

常用的瞬态热分析方法

有限差分法（FDM）：将连续的偏微分方程离散化为差分方程，通过数值方法求解。

有限元法（FEM）：将问题区域划分为有限个单元，通过单元分析和整体组装求解温度分布。

有限体积法（FVM）：将问题区域划分为有限个控制体积，通过控制体积内的能量守恒方程求解温度分布。

瞬态热分析的软件工具

常用的瞬态热分析软件工具包括：-ANSYS：广泛应用于电子封装的热分析，支持有限元法。-FloTHERM：专门用于电子设备的热仿真，支持有限体积法。-COMSOLMultiphysics：多物理场仿真软件，支持瞬态热分析。

瞬态热分析的步骤

1.建立几何模型

建立几何模型是进行瞬态热分析的第一步。几何模型应包括所有与热传导相关的部件，如芯片、基板、散热器等。可以使用CAD软件或仿真软件自带的建模工具来创建几何模型。

2.网格划分

网格划分是指将几何模型划分为有限个单元。网格的大小和类型会影响分析的精度和计算时间。一般情况下，关键部件（如芯片）需要更细的网格，以提高精度。

3.定义材料属性

定义材料属性是确保热分析准确性的关键。需要输入的材料属性包括密度、比热容、热导率等。这些属性可以来自材料手册或实验数据。

4.设置边界条件和初始条件

设置边界条件和初始条件是进行瞬态热分析的必要步骤。边界条件可以设定为恒定温度、恒定热流密度或对流换热条件。初始条件则是指定系统在初始时刻的温度分布。

5.运行仿真

运行仿真是将上述设置输入到热分析软件中，进行数值求解的过程。根据问题的复杂度，仿真时间可能会有所不同。

6.结果分析

结果分析包括检查温度随时间的变化、热流路径、热点位置等。通过分析结果，可以优化封装设计，提高热性能。

案例分析：单芯片封装的瞬态热分析

1.几何模型建立

假设我们有一个单芯片封装，包括芯片、基板和散热器。几何模型如下：

-芯片尺寸：10mmx10mmx1mm

-基板尺寸：20mmx20mmx1mm

-散热器尺寸：30mmx30mmx5mm

可以使用ANSYS的Geometry模块来建立这个模型。

#ANSYSGeometry模块示例

importansys.mapdl.coreasmapdl

#连接到ANSYS

mapdl=mapdl.launch_mapdl()

#创建芯片

mapdl.k(1,0,0,0)

mapdl.k(2,10,0,0)

mapdl.k(3,10,10,0)

mapdl.k(4,0,10,0)

mapdl.k(5,0,0,1)

mapdl.k(6,10,0,1)

mapdl.k(7,10,10,1)

mapdl.k(8,0,10,1)

mapdl.a(1,2,3,4,5,6,7,8)

#创建基板

mapdl.k(9,0,0,1)

mapdl.k(10,20,0,1)

mapdl.k(11,20,20,1)

mapdl.k(12,0,20,1)

mapdl.k(13,0,0,2)

mapdl.k(14,20,0,2)

mapdl.k(15,20,20,2)

mapdl.k(16,0,20,2)

mapdl.a(9,10,11,12,13,14,15,16)

#创建散热器

mapdl.k(17,0,