气相沉积技术课件.pptVIP

化學氣相沉積的反應熱分解反應熱分解法一般在簡單的單溫區爐中，在真空或惰性氣體保護下加熱基體至所需要溫度後，導入反應物氣體使之發生熱分解，最後在基體上沉積出固相塗層。熱分解法已用於製備金屬、半導體和絕緣體等各種材料。這類反應體系的主要問題是源物質與熱解溫度的選擇。在選擇源物質時，既要考慮其蒸汽壓與溫度的關係，又要特別注意在不同熱解溫度下的分解產物中固相僅為所需要的沉積物質，而沒有其他的夾雜物。目前用於熱分解反應的化合物有以下幾種。(1)氫化物由於氫化物H—M鍵的離解能、鍵能都比較小，所以熱分解溫度低，唯一的副產物是沒有腐蝕性的氫氣。例如：800?1000?CSiH4??Si+2H2(2)金屬有機化合物金屬的烷氧基化合物，可廣泛用於沉積高附著性的金屬膜和氧化物膜。例如：420?C2Al(OC3H7)3??Al2O3+6C3H6?+3H2O利用金屬有機化合物可使化學氣相沉積的溫度大大降低。熱分解反應(3)氫化物和金屬有機化合物體系利用這類熱解體系可在各種半導體或絕緣體基體上製備化合物半導體膜。例如：630?675?CGa(CH3)3+AsH3??GaAs+3CH4?(4)其他氣態絡合物和複合物羰基化合物和羰基氯化物多用於貴金屬(鉑族)和其他過渡金屬的沉積。例如：600?CPt(CO)2Cl2??Pt+2CO?+Cl2?140?240?CNi(CO)4??Ni+4CO?單氨絡合物已用於熱解製備氮化物，例如：800?1000?CAlCl3?NH3??AlN+3HCl?熱分解反應化學合成反應化學氣相沉積的反應兩種或多種氣態反應物在一個熱基體上相互反應。例：用氫氣還原鹵化物來沉積各種金屬和半導體，選用合適的氫化物、鹵化物或金屬有機化合物沉積絕緣膜。製備多晶態和非晶態的沉積層，如二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、硼矽玻璃及各種金屬氧化物、氮化物和其他元素之間的化合物等。其代表性的反應體系有：325?475?CSiH4+2O2??SiO2+2H2O?1200?CSiCl4+2H2??Si+4HCl?450?CAl2(CH3)6+12O2??Al2O3+9H2O?+6CO2?350?900?C3SiCl4+4NH3??Si3N4+12HCl?800?1100?CTiCl4+N2+2H2??TiN+4HCl?化學傳輸反應化學氣相沉積的反應?在源區(溫度為T1)發生傳輸反應(向右進行)，源物質Zr或ZnS與I2作用，生成氣態的ZrI2或ZnI2；?氣態生成物被運輸到沉積區之後在沉積區(溫度為T2)則發生沉積反應(向左進行)，Zr或ZnS重新沉積出來。把所有沉積的物質當作源物質(不揮發性物質)，借助於適當氣體介質與之反應而形成一種氣態化合物，這種氣態化合物經化學遷移或物理載帶運輸到與源區溫度不同的沉積區，再發生逆向反應，使得源物質重新沉積出來。這種方法最早用於稀有金屬的提純。I2(g)+Zr(s)ZrI2T1T2T1T2I2(g)+ZnS(s)ZnI2+S2例真空與真空設備物理氣相沉積2.1真空蒸發鍍膜原理及其基本過程2.2濺射鍍膜2.3離子鍍膜2.4離子鍍膜3.化學氣相沉積3.1化學氣相沉積的一般原理3.2化學氣相沉積技術3.3化學氣相沉積技術的應用氣相沉積技術CVD法制備薄摸的過程分4個階段（1）反應氣體向基片表面擴散；（2）反應氣體吸附於基片表面；（3）在基