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2026工艺整合校招面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种工艺用于芯片表面平坦化？

A.CVD

B.CMP

C.PVD

D.Etch

2.光刻工艺中，决定最小特征尺寸的是？

A.曝光剂量

B.光刻胶厚度

C.光源波长

D.显影时间

3.离子注入的目的是？

A.改变材料表面颜色

B.改变材料电学性能

C.增加材料硬度

D.提高材料透明度

4.以下哪种气体常用于等离子刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氯气

D.氢气

5.热氧化工艺中，氧化层生长速率与什么有关？

A.温度

B.压力

C.气体流量

D.以上都是

6.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.刻蚀

B.沉积薄膜

C.离子注入

D.光刻

7.半导体制造中，晶圆清洗常用的试剂是？

A.酒精

B.王水

C.SC-1溶液

D.丙酮

8.以下哪种设备用于光刻曝光？

A.光刻机

B.刻蚀机

C.离子注入机

D.化学气相沉积设备

9.双大马士革工艺主要用于？

A.制作晶体管

B.制作金属互连

C.光刻

D.清洗晶圆

10.衡量光刻分辨率的指标是？

A.焦深

B.数值孔径

C.最小线宽

D.曝光能量

多项选择题（每题2分，共20分）

1.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺成本

B.工艺兼容性

C.产品良率

D.生产效率

2.光刻工艺的主要步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

3.以下属于物理气相沉积（PVD）方法的有？

A.溅射

B.蒸发

C.化学气相沉积

D.原子层沉积

4.离子注入工艺可能带来的问题有？

A.晶格损伤

B.杂质分布不均匀

C.材料表面粗糙

D.增加材料导电性

5.热氧化工艺的优点有？

A.氧化层质量高

B.生长速率快

C.工艺简单

D.成本低

6.半导体工艺中常用的气体有？

A.氢气

B.氮气

C.氧气

D.氩气

7.清洗工艺的目的包括？

A.去除颗粒杂质

B.去除有机物

C.去除金属杂质

D.改善表面平整度

8.刻蚀工艺可分为？

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.等离子刻蚀

D.化学刻蚀

9.衡量工艺稳定性的指标有？

A.工艺重复性

B.产品一致性

C.工艺窗口

D.生产效率

10.工艺整合中的关键环节有？

A.工艺开发

B.工艺优化

C.工艺验证

D.工艺监控

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺中，曝光剂量越大越好。（）

2.离子注入后不需要进行退火处理。（）

3.化学气相沉积只能沉积单一元素的薄膜。（）

4.热氧化工艺中，温度越高，氧化层生长速率越快。（）

5.清洗工艺对半导体制造的良率影响不大。（）

6.干法刻蚀比湿法刻蚀的选择性高。（）

7.工艺整合只需要考虑工艺本身，不需要考虑设备因素。（）

8.光刻分辨率与光源波长成正比。（）

9.双大马士革工艺可以同时形成金属互连的通孔和布线。（）

10.等离子刻蚀是一种物理刻蚀方法。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将图形转移到涂有光刻胶的晶圆上。曝光后，光刻胶发生化学反应，经显影去除部分光刻胶，使晶圆表面呈现所需图形。

2.离子注入后为什么要进行退火处理？

离子注入会造成晶格损伤和杂质分布不均匀。退火可修复晶格损伤，激活注入杂质，使其发挥电学作用，还能改善杂质分布，提高材料性能。

3.简述化学气相沉积（CVD）的特点。

可在复杂形状表面沉积薄膜，沉积温度低，能精确控制薄膜成分和厚度，适合大规模生产，可制备多种材料薄膜，但设备复杂，成本较高。

4.清洗工艺在半导体制造中有什么重要性？

清洗可去除晶圆表面颗粒、有机物、金属杂质等，防止杂质影响后续工艺和器件性能，提高产品良率和可靠性，保证半导体制造顺利进行。

讨论题（每题5分，共20分）

1.工艺整合中如何平衡工艺成本和产品性能？

需综合评估不同工艺方案。在满足产品性能基本要求下，优先选成本低的工艺。同时通过优化工艺参数、提高生产效率降低成本，避免过度追求性能导致成本过高。

2.随着半导体技术发展，光刻工艺面临哪些挑战？

光源波长极限、提高分辨率难度大；焦深变小，对光刻设备和工艺控制要求高；光刻胶性能需提升以适应更小尺寸图形转移；工艺成本不断增加。

3.如何提高工艺整合的效率和质量？

建立完善工艺数据库，积累经验。加强各工艺环节沟通协作，提前解决兼容性问题。采用先进工艺模拟和优化技术，减少试验次数，同时加强工艺监控和验证。

4.谈谈你对未来工艺整合发展趋