2026《半导体激光器光场限制因子的表达式分析》1500字.docxVIP

PAGE17

半导体激光器光场限制因子的表达式分析

由于量子阱结构较为复杂，而单量子阱激光器基本上就是有源层只有数十nm的普通双异质结激光器，所以单量子阱激光器和普通双异质结激光器的光场限制因子表达式也近似相同，所以我们可以通过求双异质结激光器的光场限制因子来求当量子阱结构的激光器的光场限制因子。

1.1单量子阱激光器和普通DH激光器光场限制因子表达式

偏振双异质结构(DH)激光器通常表示为三层平板介质波导，其中引导层对应有源层，包层对应无源层。如果结构是对称的(即包层具有相同的折射率)，那么波导将始终支持至少一种传播模式REF_Re\r\h[17]。图3.1描述了这样的结构，其中n1，n2分别为有源层和包层的折射率(n1n2)，d为有源层的厚度。但是实际上有源区的厚度非常小，基本只有横模激光。并且实验表明，它的极化方向几乎总是TE模方向REF_Re\r\h[18]。所以，当分析DH激光器时，最重要的是分析图3.1所示的对称平板波导中TE模式的传播特性。

图3.1平面双异质结构二极管激光器的三层平板介质波导模型(n1n2其中n1、n2分别是有源层和包层的折射率)

光场限制因子的定义式为

?

式中E0(x)是在电介质波导中传播的TE0模式的电场强度，如图（3.1）所示（向量场垂直于纸面）。在有源层厚度变化的情况下，光场限制因子随d的变化对阈值处的激光近场模式起着决定性的作用。图3.1所示结构的电场强度变化如下

E

E

其中q和p分别是有源层和包层中的“横向传播常数”。省略了沿传播方向y的电场变化及其时间相关性。通过应用适当的边界条件，可以得到以下特征方程REF_Re\r\h[19]

?

式中?=qd；?

?

其中λ是真空波长，D是有源层的归一化厚度。TE0模式的相位因子在0和?间变化。有趣的是，当d趋向于0时，2πλ2n12?n22d2也等于?0渐近值的两倍REF_Re\r\h[20]。用渐近线(d→0)时的?0’

?

通过使用定义式1.44和电场振幅表达式1.45、1.46，可以获得?0的精确公式。在整合和使用式1.47和式1.49时，可以获得

?

其中B(?)只是?的函数，且

B

为了找到特定结构的?0，必须首先用数值或图形方法求解特性方程1.47的值。还应该提到的是，在?0的计算中，激光模式的存在而引入的净折射率变化neff是被忽略，因为与实际装置的折射率差n=n1-n2相比，即使是对neff的最大估计也是可以忽略的REF_Re\r\h[21]。从式1.50可以验证?0的渐近线为：当?→0时，?0→?0’；当?→?时，?0→1.由渐近线的组合可以给出?0的近似表达式

?

该表达式在d→0和d→∞之间恒成立。

由于单量子阱结构有源区很窄，只有数十nm，所以单量子阱激光器的光场限制因子表达式可近似为

?

1.2多量子阱光场限制因子表达式

多量子阱结构有多个量子阱构成，即有源层和势垒层都不止一个，对比单量子阱结构，情况较为复杂。

所以多量子阱的表达式推导我们可以运用单量子阱的光场限制因子表达式，将多量子阱结构等效为一个单量子阱，将多量子阱结构包层中间的势阱区看作是单量子阱的有源层，求出势阱区的等效折射率带入即可求出等效层的光场限制因子，进而得出多量子阱结构的表达式。

等效势阱层的折射率和厚度的表达式分别为

n=

d=

式中Nw，dw，nw分别是有源区的层数，层厚和折射率；NB，dB，nB分别是势垒区的层数，层厚和折射率。

将式1.55和式1.54带入单量子阱结构光场限制因子表达式，可得等效层光场限制因子表达式为

?

式中nc为包层的折射率。然后再将等效层光场限制因子乘以有源势阱层总厚度与势阱层加势垒层的总厚度的比REF_Re\r\h[22]，得到多量子阱结构得光场限制因子表达式：

?