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圖11-2MCS-51引腳圖3.單片微機的引腳簡介3）控制信號引腳RST/VPD(9腳)：輸入，保持兩個機器週期以上的高電平使單片機完成複位操作。第二功能VPD為內部RAM的備用電源輸入端。ALE/-PROG(30腳)：ALE為地址鎖存允許信號。在訪問外部記憶體時，ALE用來鎖存P0擴展地址低8位的信號。在不訪問外部記憶體時，ALE也以時鐘振盪頻率的1/6的固定速率輸出ALE能驅動8個LSTTL門輸入。第二功能PROG#是對8751內部EPROM編程時的編程脈衝輸入端。圖11-2MCS-51引腳圖3.單片微機的引腳簡介3）控制信號引腳RST/VPD(9腳)：輸入，保持兩個機器週期以上的高電平使單片機完成複位操作。第二功能VPD為內部RAM的備用電源輸入端。-PSEN(29腳)：外部程式記憶體ROM的讀選通信號。當訪問外部ROM時，產生負脈衝作為外部ROM的選通信號。而在訪問外部數據RAM或片內ROM時，不會產生有效的PSEN#信號。PSEN#可驅動8個LSTTL門輸入。圖11-2MCS-51引腳圖3.單片微機的引腳簡介3）控制信號引腳RST/VPD(9腳)：輸入，保持兩個機器週期以上的高電平使單片機完成複位操作。第二功能VPD為內部RAM的備用電源輸入端。-EA/VPP(31腳)：-EA訪問外部程式記憶體控制信號。對8051和8751，當-EA=1時情形1：0～4KB內，訪片內程式記憶體情形2：超4KB時，自動訪問外部ROM對於8031，-EA必須接地，只能訪問外部ROM。Vpp為對8751的EPROM的編程電源輸入。11.2單片微處理器的存儲組織及I/O口單片機是把程式記憶體與數據記憶體分開，屬於獨立尋址的Harvard結構。STC11F記憶體組織分4塊不同的存儲空間：1）片內8～62KB的Flash程式記憶體空間;2）片內基本RAM（又分高128B，低128B和21+27SFR專用區）;3）片內擴展RAM(XRAM);4)片內32kFlash記憶體（EEPROM）。▲編址程式記憶體用於存放程式及表格常數。最大64KB的尋址空間。STC11F系列為8kB～62kBFlash。8kB0000H～1FFFH，16kB0000H~2FFFH1.程式記憶體（程式Flash）系統複位和中斷入口地址002BH預留003BHLVD低電壓檢測中斷2.基本內部RAM◆低128位元組地址空間（00H～7FH）為內部RAM區，作為數據緩衝器。◆特殊功能寄存器（80H～FFH）（簡稱SFR區），基本型僅有21個，8052子系列為26個，STC11F有21+27個被使用。◆對於STC11F為256位元組內部RAM區.對SFR和高128位元組RAM的訪問，可通過直接尋址和寄存器間接尋址方式加以區分。（1）低128位元組分成4塊區域使用工作寄存器組，位尋址區，堆疊區，數據緩衝區①工作寄存器組00H~1FH單元為工作寄存器區。工作寄存器分成4組，每組都有8個寄存器，用R0~R7來表示。使用哪一組寄存器工作由程式狀態字PSW中的PSW.3(RS0)和PSW.4(RS1)兩位來選擇。2.基本內部RAM通過軟體設置RS0和RS1兩位的狀態，就可任意選一組工作寄存器工作。例如：如果要選1組的工作寄存器作為R0-R7，應執行下麵的指令：SETBRS0CLRRS1②位尋址區■20H~2FH單元是位尋址區。■位地址範圍為00H~7FH。對它們直接進行清零、置位、取反和邏輯、測試等操作。例如：MOV78H,C；一般用字節地址加位號表示如：2FH.4位。■另一部分位尋址區在部分SFR中。2.基本內部RAM③數據緩衝區內部RAM的30H～7FH為通用數據緩衝區，即用戶RAM區，共80個單元，作為一般的數據緩衝使用。2.基本內部RAM按照先進後出（FILO）或後進先出（LIFO）的原則存取資訊。堆疊原則上可以設在內部RAM的任意區域，但由於00H～1FH為工作寄存器區，20H～2FH為位尋址區，堆疊通常設在內部RAM的30H～7FH地址空間內的頂部，但要考慮到堆疊的最大深度。④堆疊區